射频低噪声放大器制造技术

本发明专利技术提供了射频低噪声放大器。该射频低噪声放大器采用了电流复用的技术，使两组分别由NMOS和PMOS组成的差分对共享静态偏置电流，从而在维持晶体管同样的电压-电流转换能力的基础上节约了静态偏置电流，从而减小了功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计及信号处理领域，尤其涉及一种射频低噪声放大器。
技术介绍
近年来，随着射频集成电路技术的进一步发展，无线通信产品已经从使用2.4/5.2-GHz蓝牙、局域网，无绳电话等向使用315/433/868/915MHZ的物联网相关方面的应用延伸。例如，自动抄表、楼宇自动化、传感器网络、物流运输监控等。这些应用由于具有低成本，电池供电的特点，所以要求其核心射频芯片的设计必须将低成本和低功耗放在首位。而在射频接收机中，射频低噪声放大器(Radio Frequency Low Noise Amplifier,简称LNA)是整个系统的重要组成部分。它的作用是将通过天线接收到的微弱信号进行放大，同时尽可能少的将自身的噪声添加在放大后的信号上，以便后继模块的处理。由于LNA是除了天线最先处理射频信号的模块之一，其性能对接收机具有重大的影响，同时，为了达到较高的性能，LNA通常会消耗射频前端电路中相当一部分功耗。所以如何在低功耗条件下尽可能的保持LNA的性能对于物联网相关应用的低成本，低功耗射频前端的设计有重要意义。图1为现有技术射频低噪声放大器的结构示意图。图1所示的交叉耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频低噪声放大器，其特征在于，包括：差分共栅电路和差分交叉耦合共栅电路，其中：差分共栅电路为主放大器，包括：第一MOS管和第二MOS管，其中：第一MOS管为NMOS管，其源端连接射频信号输入正端；其漏端连接至射频信号输出正端，并通过第一电阻连接至电压源正端；其栅端通过第五电阻连接至偏置电压第1端；第二MOS管为NMOS管，其源端连接射频信号输入负端；其漏端连接至射频信号输出负端，并通过第二电阻连接至电压源正端；其栅端通过第六电阻连接至偏置电压第1端；差分交叉耦合共栅电路，为增加主放大器跨导的辅助放大器，包括：第三MOS管、第四MOS管、第一电容和第二电容，其中：第三MOS管为PMOS管，其...

【技术特征摘要】
1.一种射频低噪声放大器，其特征在于，包括:差分共栅电路和差分交叉耦合共栅电路，其中: 差分共栅电路为主放大器，包括:第一 MOS管和第二 MOS管，其中:第一 MOS管为NMOS管，其源端连接射频信号输入正端；其漏端连接至射频信号输出正端，并通过第一电阻连接至电压源正端；其栅端通过第五电阻连接至偏置电压第I端；第二MOS管为NMOS管，其源端连接射频信号输入负端；其漏端连接至射频信号输出负端，并通过第二电阻连接至电压源正端；其栅端通过第六电阻连接至偏置电压第I端； 差分交叉耦合共栅电路，为增加主放大器跨导的辅助放大器，包括:第三MOS管、第四MOS管、第一电容和第二电容，其中:第三MOS管为PMOS管，其源端连接至射频信号输入正端，其漏端通过第三电阻连接至电压源负端，其栅端通过第七电阻连接至偏置电压第2端，并通过第一电容连接至第四MOS管的源端；第四MOS管是PMOS管，其源端连接至射频信号输入负端，其漏端通过第四电阻连接至电压源负端，其栅端通过第八电阻连接至偏置电压第2端，并通过第二电容连接至第三MOS管的源端。2.根据权利要求1所述的射频低噪声放大器，其特征在于，所述第一MOS管、第二 MOS管、第三MOS管和第四MOS管为MOSFE...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁华祥，景一欧，边昳，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：