【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电路，尤其是涉及功放状态检测电路。
技术介绍
在经设计以发射信号的通信装置(例如蜂窝式装置)中，功率放大器电路通常用以放大所要信号以允许恰当发射。举例来说，功率放大器电路可用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术或双极结晶体管(BJT)技术加以实施。功率放大器电路可包含两个或两个以上级联增益级、一个驱动器级及一个功率级。功率级可包括CMOS晶体管或BJT晶体管。CMOS晶体管及BJT晶体管两者均具有击穿电压，击穿电压在被超过的情况下可能导致晶体管损坏。击穿电压为最大电压，其在跨晶体管的任何两个端子施加时可能导致晶体管损坏。存在可跨CMOS晶体管的漏极端子与源极端子施加或可跨BJT晶体管的集电极端子与发射极端子施加的最大电压。当超过击穿电压时，可能在晶体管中产生雪崩电流，所述雪崩电流导致较大电流流过晶体管，且因此导致热量显著增加，所述热量显著增加可能损坏晶体管且使晶体管性能降级。如果最大安全操作电压跨任何其它对晶体管端子(例如栅极到漏极电压或栅极到源极电压)，则也可发生晶体管击穿。如果栅极到漏极电压或栅极到源极电压超过相应击穿电压，则发生栅极氧化物击穿方式。当从阳极经由晶体管的栅极氧化物层到阴极产生传导路径时，发生氧化物击穿。当用于功率放大器电路中的晶体管被损坏时，晶体管可能以不可预测的方式进行操作或根本中断操作。因此，在功率级中发生晶体管击穿电压会严重损害功率放大器电路可靠性。因此，在设计电路时要充分考虑如何实现功率放大器的保护。
技术实现思路
本技术要解决的问题是提供功放状态检测电路，尤其适合功率放大器的过压保护，欠压保护，过流保护，过温保护。为解...
【技术保护点】
功放状态检测电路，其特征在于：包括光电耦合器（1），所述光电耦合器（1）一端接电，另一端接三极管（2）的集电极，所述三极管（2）的发射极经第一电阻（3）接地；所述三极管（2）的基极分两路，一路经第二电阻（4）接地；另一路接第一稳压二极管（5），且第二稳压二极管（6）与第一稳压二极管（5）相并联。
【技术特征摘要】
1.功放状态检测电路，其特征在于包括光电耦合器(1)，所述光电耦合器(I) 一端接电，另一端接三极管(2)的集电极，所述三极管(2)的发射极经第一电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：马新征，夏慈君，焦奕，
申请(专利权)人：天津市北海通信技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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