LTE频段功放保护模块制造技术

技术编号:8404382 阅读:397 留言:0更新日期:2013-03-08 23:26
本实用新型专利技术公开了一种LTE频段功放保护模块,包括由射频输入与射频输出构成的射频电路,以及组成射频电路的元器件,所述元器件包括一比较器,及与比较器连接的MCU,及设置于比较器输入端的电流检测芯片,以及与比较器输出端连接的开关,所述开关控制功率放大器栅压,所述功率放大器漏极还与电流检测芯片相连,所述开关与MCU连接,受MCU控制;本实用新型专利技术主要采用针对LTE频段(2320MHz-2370MHz),对LDMOS功放管漏压的检测,以门限的方式保护功放不超过其最大工作电流,避免因输入信号过大,功放自激,环境因素引起的功放损坏,以增强功放系统的稳定及可靠性。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种LTE频段功放保护模块,其特征在于:包括由射频输入与射频输出构成的射频电路,以及组成射频电路的元器件,所述元器件包括一比较器,及与比较器连接的MCU,及设置于比较器输入端的电流检测芯片,以及与比较器输出端连接的开关,所述开关控制功率放大器栅压,所述功率放大器漏极还与电流检测芯片相连,所述开关与MCU连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:孙玉静杨建明
申请(专利权)人:北京汉铭通信有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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