功放状态检测电路制造技术

本发明专利技术提供功放状态检测电路，包括光电耦合器，所述光电耦合器一端接电，另一端接三极管的集电极，所述三极管的发射极经第一电阻接地；所述三极管的基极分两路，一路经第二电阻接地；另一路接第一稳压二极管，且第二稳压二极管与第一稳压二极管相并联。本发明专利技术的有益效果是在原有的控制电路上加入功放保护电路，具有结构简单，成本低廉、控制精确等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电路，尤其是涉及功放状态检测电路。
技术介绍
在经设计以发射信号的通信装置(例如蜂窝式装置)中，功率放大器电路通常用以放大所要信号以允许恰当发射。举例来说，功率放大器电路可用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术或双极结晶体管(BJT)技术加以实施。功率放大器电路可包含两个或两个以上级联增益级、一个驱动器级及一个功率级。功率级可包括CMOS晶体管或BJT晶体管。CMOS晶体管及BJT晶体管两者均具有击穿电压，击穿电压在被超过的情况下可能导致晶体管损坏。击穿电压为最大电压，其在跨晶体管的任何两个端子施加时可能导致晶体管损坏。存在可跨CMOS晶体管的漏极端子与源极端子施加或可跨BJT晶体管的集电极端子与发射极端子施加的最大电压。当超过击穿电压时，可能在晶体管中产生雪崩电流，所述雪崩电流导致较大电流流过晶体管，且因此导致热量显著增加，所述热量显著增加可能损坏晶体管且使晶体管性能降级。如果最大安全操作电压跨任何其它对晶体管端子(例如栅极到漏极电压或栅极到源极电压)，则也可发生晶体管击穿。如果栅极到漏极电压或栅极到源极电压超过相应击穿电压，则发生栅极氧化物击穿方式。当从阳极经本文档来自技高网...

【技术保护点】
功放状态检测电路，其特征在于：包括光电耦合器（1），所述光电耦合器（1）一端接电，另一端接三极管（2）的集电极，所述三极管（2）的发射极经第一电阻（3）接地；所述三极管（2）的基极分两路，一路经第二电阻（4）接地；另一路接第一稳压二极管（5），且第二稳压二极管（6）与第一稳压二极管（5）相并联。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马新征，夏慈君，焦奕，
申请(专利权)人：天津市北海通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：