用于RF IC的高压高频ESD防护电路制造技术

本发明专利技术描述用于需要高压和高频操作两者的RFIC的改进的ESD防护电路。组合有预充电电路和二极管网络的迭接接地栅极骤回NFET?(GGNFET)导致具有低电容和高接通电压的正ESD防护箝位电路。所述正ESD防护箝位电路在正电压ESD脉冲期间为IC提供ESD防护。本发明专利技术揭示负ESD防护箝位电路的示范性实施例，其中以允许偏压电路或电荷泵与二极管网络和迭接接地栅极骤回NFET的组合提供防护以对抗负ESD电压脉冲的方式来使用所述偏压电路或所述电荷泵替代所述预充电电路。正ESD防护箝位电路与负ESD防护箝位电路的组合在正电压ESD脉冲或负电压ESD脉冲期间为IC提供ESD防护。替代实施例进一步通过仅使用正ESD箝位电路来提供正ESD脉冲期间的ESD防护而减小所述ESD防护电路的电容，同时通过由耦合到负ESD二极管的RF前端开关的路径形成的放电路径来提供针对负ESD脉冲的防护。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤金·R·沃利，泯丙煜，德渥·吴，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：