晶片承接设备和常压化学气相沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于常压化学气相沉积装置的晶片承接设备和常压化学气相沉积装置用。该晶片承接设备包括：承接平台，所述承接平台用于承接从所述常压化学气相沉积装置的晶片出口掉落的晶片；驱动器，所述驱动器驱动所述承接平台在水平面内移动；控制器，所述控制器在所述常压化学气相沉积装置出现故障时，控制所述驱动器驱动所述承接平台移动，以承接掉落的晶片。本发明专利技术的用于常压化学气相沉积装置的晶片承接设备可以在常压化学气相沉积装置出现故障时，及时启动以承接从晶片出口掉落的晶片，并通过在水平面内移动来防止后续输送的多个晶片发生叠加，从而避免晶片受损，降低工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种用于常压化学气相沉积装置的晶片承接设备和常压化学气相沉积装置。
技术介绍
在制造半导体器件时，通常会使用常压化学气相沉积(PACVD)技术来沉积多种材料层，包括绝缘材料层和金属材料层。为了实现自动化生产，在沉积过程中，晶片都是通过传送系统被装载、传送、卸载和归位的。以WJ型常压化学气相沉积装置为例，晶片首先由操作人员从晶片盒中取出并被放置在装载往返器上，装载往返器将晶片传送到位于常压化学气相沉积装置一端的晶片入口 ；到达晶片入口的晶片由装载机械手取出放置在传送带上，而装载往返器则返回去装载下一晶片；被放置在传动带上的晶片由传动带传送经过沉积腔室来完成一系列的化学反应后，到达位于常压化学气相沉积装置另一端的晶片出口 ；处理后的晶片由卸载机械手从晶片出口取下放置在卸载往返器上，卸载往返器将该晶片传递给返回往返器后去卸载下一晶片；返回往返器将该晶片从出口一端送回至入口一端，并由操作人员取下放回至晶片盒，如此即完成常压化学气相沉积反应的传送过程。然而，在上述包括装载往返器、装载机械手、传送带、卸载机械手、卸载往返器和返回往返器等的传送系统由于不可避本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于常压化学气相沉积装置的晶片承接设备，其特征在于，所述晶片承接设备包括：承接平台，所述承接平台用于承接从所述常压化学气相沉积装置的晶片出口掉落的晶片；驱动器，所述驱动器驱动所述承接平台在水平面内移动；控制器，所述控制器在所述常压化学气相沉积装置出现故障时，控制所述驱动器驱动所述承接平台移动，以承接掉落的晶片。

【技术特征摘要】
1.一种用于常压化学气相沉积装置的晶片承接设备，其特征在于，所述晶片承接设备包括: 承接平台，所述承接平台用于承接从所述常压化学气相沉积装置的晶片出口掉落的晶片; 驱动器，所述驱动器驱动所述承接平台在水平面内移动； 控制器，所述控制器在所述常压化学气相沉积装置出现故障时，控制所述驱动器驱动所述承接平台移动，以承接掉落的晶片。2.按权利要求1所述的晶片承接设备，其特征在于，所述驱动器驱动所述承接平台在水平面内沿平行于所述常压化学气相沉积装置的晶片输出方向的第一方向移动。3.按权利要求2所述的晶片承接设备，其特征在于，所述承接平台在承接所述掉落的晶片时，所述驱动器驱动所述承接平台沿所述第一方向移动第一距离。4.按权利要求3所述的晶片承接设备，其特征在于，所述第一距离大于或等于所述掉落的晶片的直径。5.按权利要求4所述的晶片承接设备，其特征在于，所述第一距离大于或等于所述掉落的晶片的直径的1.1倍且小于或等于所述掉落的晶片的直径的1.2倍。6.按权利要求2所述的晶片承接设备，其特征在于，所述承接平台在承接所述掉落的晶片时沿所述第一方向的移动速率与晶片的输出速率相同。7.按权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭宇琦，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：