半导体处理装置及处理流体收集方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭露了一种半导体处理装置，其包括微腔室，所述微腔室包括可在一打开位置和关闭位置之间移动的形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，当处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和所述下工作表面之间形成的空腔内，且与所述上、下工作面之间形成有供处理流体流动的空隙。所述上腔室部的上方与驱动装置相连或/和下腔室部的下方与驱动装置相接，所述驱动装置包括有驱动对应腔室部的不同位置的若干驱动单元，基于所述驱动装置的驱动使得所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整体产生倾斜。这样，可以使得所述上工作表面或下工作表面发生预定倾斜来控制其内部的化学制剂流动。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及一种用于化学处理半导体晶圆表面，以及清洁、蚀刻和其它处理的装置以及基于该装置的处理流体收集方法。
技术介绍
晶圆是生产集成电路所用的载体。在实际生产中需要制备的晶圆具有平整、超清洁的表面，而用于制备超清洁晶圆表面的现有方法可分为两种类别:诸如浸没与喷射技术的湿法处理过程，及诸如基于化学气相与等离子技术的干法处理过程。其中湿法处理过程是现有技术采用较为广泛的方法，湿法处理过程通常包括采用适当化学溶液浸没半导体晶圆或喷射半导体晶圆等一连串步骤组成。现有技术中包含一种采用湿法处理过程对晶圆进行超清洁处理的半导体处理装置。该半导体处理装置中形成有一可以紧密接收并处理半导体晶圆的微腔室，该微腔室可处于打开状态以供装载与移除半导体晶圆，也可处于关闭状态以用于半导体晶圆的处理，其中处理过程中可将化学制剂及其它流体引入所述微腔室。所述打开状态和关闭状态由该装置中包含的两个驱动装置分别驱动构成所述微腔室的上、下两个腔室内壁沿垂直方向的相对移动来实现。在实际使用中发现，某些情况下需要使化学制剂在所述微腔室和被处理的半导体晶圆之间的空隙中按照预定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括可在一打开位置和关闭位置之间移动的形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，当处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和所述下工作表面之间形成的空腔内，且与所述上、下工作面之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口，所述上腔室部的上方与驱动装置相连或/和下腔室部的下方与驱动装置相接，所述驱动装置包括有驱动对应腔室部的不同位置的若干驱动单元，基于所述驱动装置的驱动使得所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工...

【技术特征摘要】
1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括: 一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括可在一打开位置和关闭位置之间移动的形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，当处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和所述下工作表面之间形成的空腔内，且与所述上、下工作面之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口， 所述上腔室部的上方与驱动装置相连或/和下腔室部的下方与驱动装置相接，所述驱动装置包括有驱动对应腔室部的不同位置的若干驱动单元，基于所述驱动装置的驱动使得所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整体产生倾斜。2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室部和所述下腔室部均为硬性非弹性材料形成，在所述驱动单元的驱动下上腔室部和所述下腔室部整体倾斜，进而带动所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整体产生倾斜。3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述驱动装置还包括控制单元，所述控制单元可编程地控制所述驱动单元中的一个或者多个，使得所述驱动单元驱动所述上腔室部或下腔室部产生预定倾斜。4.根据权利要求2或3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置还包括下盒装置，所述下盒装置包括朝上形成开口的空腔，所述下...

【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：