玻璃基板的曝光对位方法技术

本发明专利技术公开一种玻璃基板的曝光对位方法，包含：将一基准片进行一基准片掩模工艺，利用一曝光机及一第一层光掩模板进行曝光；计算所述基准片的一第一内、外标记及一第二内、外标记的位置，并储存计算后的一数据，以作为曝光的对位基准；及对一玻璃基板进行一玻璃基板掩模工艺，利用所述曝光机及一玻璃基板光掩模板进行曝光，在所述玻璃基板上投影出：至少两层曝光区；及至少一拼接区，所述拼接区是根据所述数据进行对位曝光。通过将所述基准片于曝光时所形成的第一内、外标记及第二内、外标记进行数据的计算及储存，使所述玻璃基板曝光的拼接区能以所述数据作为对位基准，可确保所述玻璃基板曝光的图形对位精度，进而可避免所述玻璃基板的曝光图形偏移。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种曝光对位方法，特别是有关于一种。
技术介绍
在目前液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)大尺寸的薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,TFT)阵列基板制作中，曝光工艺会遇到单个大尺寸玻璃基板的图形要比光掩模板(Photo Mask)的图形还要大的情况，在这种情况下，需要把光掩模板上图形分成多块在单个大尺寸玻璃基板上进行多次曝光，以多个光掩模板图形来拼接单个大尺寸玻璃基板上的图形。请参阅图1所示，在薄膜晶体管(TFT)阵列基板曝光工艺中，利用一曝光机11及一光掩模板14对一玻璃基板12进行曝光,所述玻璃基板12的第一层曝光在一曝光区域121的左右两边会对应所述光掩模板14的数个对位孔141、142，分别制作出数个对位标记122、123 ( —般各3个),所述玻璃基板12的后几层曝光将与第一层曝光的对位标记122、123对位后进行曝光，以确保所述玻璃基板12的后几层曝光与第一层曝光的重叠精度，而不会造成图形偏移。然而，在单个大尺寸玻璃基板上进行曝光，需要将光掩模板图形分割成多块，在单个大尺寸玻璃基板上进行多次曝光拼接，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种玻璃基板的曝光对位方法，其特征在于：所述玻璃基板的曝光对位方法包含︰(S1)将至少一基准片进行一基准片掩模工艺，利用一曝光机及一第一层光掩模板进行曝光，在所述基准片上投影出：一第一曝光区；一第二曝光区；及一模拟拼接区，连接于所述第一曝光区及第二曝光区之间，所述第一曝光区分别于两侧形成数个第一外标记及数个第一内标记，所述第一外标记位于所述第一曝光区外，所述第一内标记位于所述第二曝光区中，所述第二曝光区分别于两侧形成数个第二内标记及数个第二外标记，所述第二内标记位于所述第一曝光区中，所述第二外标记位于所述第二曝光区外；(S2)计算所述步骤(S1)中的第一内、外标记及第二内、外标记的位置，并储存...

【技术特征摘要】
1.一种玻璃基板的曝光对位方法,其特征在于:所述玻璃基板的曝光对位方法包含: (51)将至少一基准片进行一基准片掩模工艺，利用一曝光机及一第一层光掩模板进行曝光，在所述基准片上投影出:一第一曝光区；一第二曝光区；及一模拟拼接区，连接于所述第一曝光区及第二曝光区之间，所述第一曝光区分别于两侧形成数个第一外标记及数个第一内标记，所述第一外标记位于所述第一曝光区外，所述第一内标记位于所述第二曝光区中，所述第二曝光区分别于两侧形成数个第二内标记及数个第二外标记，所述第二内标记位于所述第一曝光区中，所述第二外标记位于所述第二曝光区外； (52)计算所述步骤(SI)中的第一内、外标记及第二内、外标记的位置，并储存计算后的一数据，以作为曝光的对位基准；及 (53)对一玻璃基板进行一玻璃基板掩模工艺,利用所述曝光机及一玻璃基板光掩模板进行曝光，在所述玻璃基板上投影出:至少两层曝光区；及至少一拼接区，连接于所述两曝光区之间，其中所述拼接区是根据步骤(S2)的所述数据进行对位曝光。2.按权利要求1所述玻璃基板的曝光对位方法，其特征在于:在步骤(SI)中，利用m个所述基准片进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：付延峰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：