光刻设备和衬底处理方法技术

一种光刻设备布置用以将图案从图案形成装置转移至衬底上，所述光刻设备包括构造用以保持衬底的衬底台和布置用以将衬底定位在衬底台上的夹具。所述夹具包括真空夹紧装置，所述真空夹紧装置布置成在衬底的顶侧夹紧衬底。在一个实施例中，真空夹紧装置布置成夹紧衬底顶表面的圆周外部区域的至少一部分。还提供了衬底处理方法，包括步骤：使用夹具将衬底定位在光刻设备的衬底台上，所述方法包括使用所述夹具的真空夹紧装置在衬底的顶侧处夹紧衬底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻设备、衬底处理方法和衬底处理装置。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或几个管芯)上。通常，图案的转移是把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括:所谓的步进机，在步进机中通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可以通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。目前的晶片处理系统将衬底(例如晶片)输运到衬底台隔室(例如晶片平台隔室)中。通过衬底台上面的处理器中的夹具定位所述衬底，从衬底台突出的销接管晶片。当夹具被收回时，销向下移动并将晶片装载到晶片台上。当晶片被装载到晶片台上时，因为晶片台的突节和晶片之间的摩擦力在晶片内会引入应力。这些应力可以导致晶片变形并由此带来投影误差。
技术实现思路
期望在低应力或没有应力的情况下将衬底定位到衬底台上。根据本专利技术的一个实施例，提供一种光刻设备，布置用以将图案从图案形成装置转移至衬底上，所述光刻设备包括构造用以保持衬底的衬底台和布置用以将衬底从衬底台上升起的夹具，所述夹具包括真空夹紧装置，所述真空夹紧装置布置成在衬底的顶侧夹紧衬底。根据本专利技术的另一个实施例，提供一种衬底处理方法，包括步骤:使用夹具将衬底定位在光刻设备的衬底台上，所述方法包括使用所述夹具的真空夹紧装置在衬底的顶侧处夹紧衬底。根据本专利技术的再一个实施例，提供一种用于处理衬底的衬底处理装置，所述衬底处理装置包括夹具，所述夹具配置成夹持衬底并将衬底定位在衬底台上，其中所述夹具包括布置成在衬底顶侧处夹紧衬底的真空夹紧装置。附图说明现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本专利技术的实施例，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中:图1示出了可以在其中提供本专利技术实施例的光刻设备；图2A-2C每个示出根据本专利技术实施例的夹具的一部分的部分横截面侧视示意图；图3A-3B每个示出根据本专利技术实施例的夹具的一部分的部分横截面侧视示意图；图4示出根据本专利技术实施例的夹具的一部分的部分横截面侧视示意图；图5A-5B每个示出根据本专利技术实施例的夹具的一部分的部分横截面侧视示意图；图6A-6B每个示出根据本专利技术实施例的夹具的一部分的部分横截面侧视示意图；图7示出根据本专利技术实施例的夹具的一部分的部分横截面侧视示意图；图8A-8B每个示意地示出本专利技术实施例的夹具的一部分的部分横截面侧视示意图；图9示出根据本专利技术实施例的夹具的一部分的部分横截面侧视示意图；图10A-10B分别示出本专利技术实施例的夹具的一部分的部分横截面侧视示意图和俯视不意图；图11示出根据本专利技术实施例的夹具的一部分的部分横截面侧视示意图；图12A-12B每个示出根据本专利技术实施例的夹具的一部分的部分横截面侧视示意图；和图13A-13B每个示出根据本专利技术实施例的夹具的一部分的部分横截面侧视示意图。具体实施例方式图1示意地示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括:照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B (例如，紫外(UV)辐射或任何其他合适的辐射)；支撑结构或图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连。所述光刻设备还包括衬底台(例如晶片台)WT或“衬底支撑结构”，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。所述光刻设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或更多根管芯)上。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里使用的任何术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，该投影系统包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台或“衬底支撑结构”(和/或两个或更多个掩模台或“掩模支撑结构”)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台或支撑结构，或可以在一个或更多个台或支撑结构上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台或支撑结构用于曝光。光刻设备还可以是至少一部分衬底可以被相对高折射率的液体(例如水)覆盖、以便填充投影系统和衬底之间的空间的类型。浸没液体还可以被施加至光刻设备中的其它空间，例如在图案形成装置(例如掩模)和投影系统之间。浸没技术可以用于增加投影系统的数值孔径。如在此处所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底等结构必须浸没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻设备，布置用以将图案从图案形成装置转移至衬底上，所述光刻设备包括构造用以保持衬底的衬底台和布置用以将衬底定位在衬底台上的夹具，所述夹具包括真空夹紧装置，所述真空夹紧装置布置成在衬底的顶侧夹紧衬底。

【技术特征摘要】
2011.10.27 US 61/552,2611.一种光刻设备，布置用以将图案从图案形成装置转移至衬底上，所述光刻设备包括构造用以保持衬底的衬底台和布置用以将衬底定位在衬底台上的夹具，所述夹具包括真空夹紧装置，所述真空夹紧装置布置成在衬底的顶侧夹紧衬底。2.按权利要求1所述的光刻设备，其中真空夹紧装置布置成夹紧衬底顶表面的圆周外部区域的至少一部分。3.按权利要求1或2所述的光刻设备，其中真空夹紧装置包括两个同心的密封件和形成在所述密封件之间的真空室。4.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中真空夹紧装置包括布置用以夹紧衬底顶表面的圆周外部区域的至少一部分的真空室和与所述真空室同心的另一真空室，所述另一真空室用以夹紧衬底表面的中心区域的至少一部分。5.按权利要求4所述的光刻设备，其中所述另一真空室包括多个真空入口管道，所述光刻设备包括用以测量衬底的平坦度的传感器和用以根据所测量的平坦度控制施加真空至每个真空入口管道的真空施加控制器。6.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中真空夹紧装置包括刚性夹具框架和布置成接触衬底表面的至少一个顺应性夹具部分，所述顺应性夹具部分相对于刚性夹具框架是能够移动的。7.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中真空夹紧装置包括两个同心的软密封件、用以在软密封件之间形成的真...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·W·L·拉法瑞，H·M·塞格斯，T·P·M·卡迪，黄仰山，C·L·瓦伦丁，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：