【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于复合半导体敏感膜制备
，特别是一种，以制备可应用于传感器及催化的掺杂CuO的ZnO敏感膜。
技术介绍
由于CO的高毒性以及H2的危险性，因此对于它们在环境监测、工业生产、医疗护理等中的监测和检测非常重要。检测CO和H2的传感器有电化学传感器、红外传感器、催化燃烧式气体传感器和半导体气体传感器等，其中，电化学传感器有着易于中毒的缺点；红外传感器成本高，而且不易携带；催化燃烧式气体传感器则选择性比较差；半导体气体传感器是通过半导体·敏感膜与气体的吸附和反应从而引起其电学特性的变化，通过检测其变化来实现识别和检测其浓度的功能，半导体敏感膜的种类多样，而且可以通过掺杂等手段提高其选择性和灵敏度，因此半导体气体传感器在检测气体方面有着较好的前景。由于半导体气体传感器是利用敏感膜与反应物发生反应而达到检测敏感物的原理，因此敏感膜的选择和制备对半导体气体传感器性能有着决定性的影响，是半导体气体传感器的核心技术。ZnO是一种比较成熟的半导体敏感材料,其在检测CO、H2等气体有着良好的性能，ZnO构成的敏感膜已经被广泛的研究。而合理掺杂的ZnO敏感膜会使半导体...
【技术保护点】
一种基于置换反应?热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，该方法包括：在耐高温衬底上生长一层Zn；将生长有Zn的衬底浸入Cu的可溶性盐离子溶液中，溶液中的Cu离子被置换出来进而在Zn表面析出Cu纳米颗粒；以及对表面附着有Cu纳米颗粒的Zn进行热氧化处理，将Cu纳米颗粒氧化为CuO纳米颗粒，得到掺杂CuO纳米颗粒的ZnO气体敏感膜。
【技术特征摘要】
1.一种基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，该方法包括: 在耐高温衬底上生长一层Zn ； 将生长有Zn的衬底浸入Cu的可溶性盐离子溶液中，溶液中的Cu离子被置换出来进而在Zn表面析出Cu纳米颗粒；以及 对表面附着有Cu纳米颗粒的Zn进行热氧化处理,将Cu纳米颗粒氧化为CuO纳米颗粒，得到掺杂CuO纳米颗粒的ZnO气体敏感膜。2.根据权利要求1所述的基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，所述在耐高温衬底上生长一层Zn的步骤中，是采用电子束蒸发或磁控溅射的方法在耐高温衬底上生长一层Zn。3.根据权利要求1或2所述的基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，所述耐高温衬底是硅、石英、氧化铝或陶瓷。4.根据权利要求1或2所述的基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，其特征在于，所述Zn的厚度在IOnm至5000nm之间。5.根据权利要求1所述的基于置换...
【专利技术属性】
技术研发人员：李冬梅，陈鑫，梁圣法，詹爽，张培文，谢常青，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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