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本发明公开了一种基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法，该方法包括：在耐高温衬底上生长一层Zn；将生长有Zn的衬底浸入Cu的可溶性盐离子溶液中，溶液中的Cu离子被置换出来进而在Zn表面析出Cu纳米颗粒；对表面附着有Cu纳米颗粒的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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