反应罩制造技术

本发明专利技术涉及一种用于氯气刻蚀烘烤设备的反应罩，该反应罩由耐温、隔热并具有高透光性的材料整体制成，并在其顶面设有用于容纳温度测量装置的第一管和供气体进入的第二管。第二管通入到设置在反应罩内的多层孔板结构，第一管穿透多层孔板结构而通到反应罩内部。多层孔板结构至少包括分层排列的第一和第二孔板，第一和第二孔板上分别分布有构成第一和第二图案的多个孔。本发明专利技术的反应罩为氯气刻蚀烘烤设备提供合适的反应空间，以保证氯气刻蚀烘烤设备为金属有机化学气相沉积设备提供可重复利用的清洁石墨盘和刻蚀清洁的外延衬底片，从而在充分清洁石墨盘表面和外延衬底片的沉积物的同时，改善外延片的生长成品率和衬底片的重复利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种反应罩，更具体地说，涉及一种用于氯气刻蚀烘烤设备的石英反应罩。
技术介绍
金属有机化学气相沉积设备(简称M0CVD)以热分解反应方式在衬底上进行化学沉积反应，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。石墨盘作为衬底的承载平台，在该反应过程中会有多余的化学反应残留物沉积在石墨盘表面上。如果不对这些残留物进行清除的话，会在新的一炉外延片生长过程中影响对应的温度控制和表面颗粒，并最终影响到外延片生长的成品率。另外在外延片生长过程中，会有大量的衬底片因生长不出质量合格的外延片而报废，因没有专业的外延衬底片刻蚀设备，无法对这些不合格的外延片上的外延层化学沉积物进行有效地刻蚀，无法对该类衬底片进行重复利用，造成大量的成本浪费和损失。目前市场上还没有对于MOCVD和外延片进行刻蚀、清洁的专用设备，目前业内使用的石墨盘清洁方法通常采用真空烧结炉进行长时间高温烘烤的方式，存在单炉次烘烤的时间比较长(单炉次约14小时)、烘烤温度太高(最高温度约1400度)而影响石墨盘循环使用的寿命等问题，同时无法对工艺生长过程中产生的报废外延衬底片进行刻蚀。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于氯气刻蚀烘烤设备的反应罩（1），其特征在于，所述反应罩（1）由耐温、隔热并具有高透光性的材料整体制成，并且在其顶面（7）设有用于容纳温度测量装置的第一管（5）和供气体进入的第二管（6），所述第二管（6）通入到设置在所述反应罩（1）内的多层孔板结构，而所述第一管（5）穿透所述多层孔板结构而通到所述反应罩内部，所述多层孔板结构至少包括分层排列的第一孔板（8）和第二孔板（9），所述第一孔板（8）上分布有构成第一图案的多个孔，所述第二孔板（9）上分布有构成第二图案的多个孔。

【技术特征摘要】
1.一种用于氯气刻蚀烘烤设备的反应罩(1)，其特征在于，所述反应罩(I)由耐温、隔热并具有高透光性的材料整体制成，并且在其顶面(7)设有用于容纳温度测量装置的第一管(5)和供气体进入的第二管(6)，所述第二管(6)通入到设置在所述反应罩(I)内的多层孔板结构，而所述第一管(5)穿透所述多层孔板结构而通到所述反应罩内部，所述多层孔板结构至少包括分层排列的第一孔板(8)和第二孔板(9)，所述第一孔板(8)上分布有构成第一图案的多个孔，所述第二孔板(9)上分布有构成第二图案的多个孔。2.如权利要求1所述的反应罩(1)，其特征在于，所述耐温隔热材料为石英。3.如权利要求1所述 的反应罩(1)，其特征在于，所述第一管(5)和所述第二管(6)由石英制成。4.如权利要求1所述的反应罩(1)，其特征在于，所述多层孔板结构为双层孔板结构。5.如权利要求4所述的反应罩(1)，其特征在于，所述第一孔板(8)和所述第二孔板(9)平行布置。6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐小明，周永君，丁云鑫，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：