堆叠封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种堆叠封装结构。堆叠封装结构包括：上封装体以及位于其下方的下封装体。上封装体包括第一基底及安装在第一基底上的第一芯片。第一基底的热导率大于70W/(m×K)。下封装体包括第二基底及安装在第二基底上的第二芯片。第二芯片的上表面与第一基底的下表面热接触。本发明专利技术所提出的堆叠封装结构，可以减轻或排除堆叠封装结构散热的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于半导体封装技术，特别是有关于一种三维(3D)堆叠封装(package on package, PoP)结构。
技术介绍
随着电子产业(例如，3C(电脑、通信及消费性电子)相关产业)的发展，已快速增加对于多功能、更具便利性及更小尺寸的装置的需求。上述需求进一步迫使增加集成电路(IC)密度。而增加集成电路密度造就了多重芯片封装的发展，诸如封装内封装(package in package, PiP)及堆叠封装(package on package, PoP)。在高效能及高集成度(integration)的需求下，将上封装体堆叠于下封装体上的三维堆叠封装(3D PoP)已成为一种可接受的选择。PoP为一种封装技术，可容许整合具有不同功能的芯片(例如，微处理器、存储器、逻辑或光学集成电路等)。然而，PoP相较于个别的单一芯片(chip/die)封装来说需要更高的电源密度。因此，当电源密度增加且芯片内的半导体装置尺寸缩小(即，IC密度增加)时，热管理变得越来越重要。电源密度及IC密度的增加使得PoP结构中芯片所产生的热总量增加，而过量的热通常会降低装置效能，且装置可能发生损害本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种堆叠封装结构，其特征在于，包括：上封装体，包括第一基底及安装在该第一基底上的第一芯片，其中该第一基底的热导率大于70W/(m×K)；以及下封装体，位于该上封装体下方，包括第二基底及安装在该第二基底上的第二芯片，其中该第二芯片的上表面与该第一基底的下表面热接触。

【技术特征摘要】
2011.10.17 US 61/548,092;2012.09.12 US 13/612,7371.一种堆叠封装结构，其特征在于，包括 上封装体，包括第一基底及安装在该第一基底上的第一芯片，其中该第一基底的热导率大于70WバmXK);以及 下封装体，位于该上封装体下方，包括第二基底及安装在该第二基底上的第二芯片，其中该第二芯片的上表面与该第一基底的下表面热接触。2.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，该上封装体还包括散热片，该散热片与该第一芯片的上表面热接触。3.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，该第一芯片通过多个凸块或导线电连接至该第一基底。4.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，该第一基底为硅基底。5.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，该第二芯片内包括多个贯穿基底的通孔，使该第二芯片通过该多个贯穿基底的通孔与该第一基底及/或该第二基底电连接。6.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，该第二芯片通过该第二芯片与该第一基底之间的导热界面材料或通过该第二芯片与该第一基底之间的直接接触与该第一基底热接触。7.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，该第二芯片通过该第二芯片与该第一基底之间的导热界面材料与该第一基底热接触，该导热界面材料包括焊料凸块、铜凸块、热脂或微米银。8.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，包括多个凸块，设置于该第一基底与该第二基底之间，使该第一基底电连接至该第二基底。9.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，该第二基底的热导率大于70W/(mXK...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泰宇，张峻玮，吴忠桦，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：