堆迭封装构造制造技术

本发明专利技术公开一种堆迭封装构造包含一上封装体，一下封装体及一导热介面层，所述上封装体包含一上基板及一上晶片，所述上基板包含一第一图案化金属层，所述图案化金属层包含第一导热区域，所述上晶片设置在所述上基板且电性连接所述上基板，所述下封装体包含一下基板、数个电性连接元件及一下晶片，所述下基板通过所述电性连接元件电性连接所述上基板，所述下晶片设置在所述下基板上且所述下晶片与所述下基板电性连接。所述导热介面层结合在所述上基板的第一导热区域与所述下晶片之间；通过所述封装构造中的第一导热区域及导热介面层，有助于热传导并增加热交换的面积，进而提高晶片的散热效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种堆迭封装构造，特别是有关于一种可提高散热效率的堆迭封装构造。
技术介绍
现今，随着如携带式个人电脑、智慧手机及数码相机等电子装置，微小化、多功能化及高性能化，半导体装置必须设计的更小且功能更多，因而使半导体封装构造(semiconductor package)在许多电子装置的使用上越来越普遍。例如，堆迭式封装构造(Package on Package,PoP)是一种很典型的立体式封装构造,将两个独立封装完成的封装体，加以堆迭形成单一封装构造，用以增加单一封装构造的电性功能，并节省印刷电路基板上进行表面粘着技术(SMT)时的使用空间，此外，堆迭式封装构造通过独立的两个封装体经封装与测试后再以表面粘合的方式迭合，不仅可减少制造风险，提高产品良率，更可缩短封装结构间的线路长度，以降低讯号延迟及存取时间。然而，晶片在运作时会产生高温，因此其表面需要另外接合一散热片(heat sink)进行散热，常见固定散热片于晶片的方法是使用导热胶。而堆迭式封装构更是容易产生高温，原因在于堆迭式封装构会设计有二个以上的晶片，上方基板的晶片(例如记忆体晶片,Memory Die)与下方基板的晶片(例如逻辑晶片，Logic Die)所产生的高温,一般仅能通过于上方基板的具有散热片的晶片以及上方基板与下方基板间作为电性连结用的金属导电材料，例如位于晶片周围的焊球或导电凸块的连结，因为一般金属导电材料同时具有较高的导热性质，因此可将热传递至基板进行散热，但上述方式的散热介面少且作为电性连结用的散热路径长将使内部的高温无法有效的散去，进而影响整体的散热效率。近年来，堆迭式封装构造广泛应用于可携式电子产品中，为了符合可携式电子产品日益轻薄短小化的趋势，堆迭式封装构造也需进一步薄型化，然而薄型化的堆迭式封装构造难以提供足够空间在上、下封装体之间设置散热金属片，因而使得整体的散热效率变得低落。 故，有必要提供一种堆迭封装构造，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种堆迭封装构造，以解决现有技术所存在散热效率不佳的问题。本专利技术的主要目的在于提供一种堆迭封装构造，其可以通过封装构造中的导热区域及导热介面层，有助于热传导并增加热交换的面积，进而提高晶片的散热效率。本专利技术的另一目的在于提供一种堆迭封装构造，其可以通过封装构造中的导热垫有助于热传导，并增加热交换的面积，进而提高晶片的散热效率。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术一实施例提供一种堆迭封装构造，其中所述堆迭封装构造包含一上封装体，一下封装体及一导热介面层，所述上封装体包含一上基板及一上晶片，所述上基板包含一上表面、一背对所述上表面的下表面及一设置在所述下表面的第一图案化金属层，所述图案化金属层包含第一导热区域，所述上晶片设置在所述上基板的上表面且电性连接所述上基板，所述下封装体包含一下基板、数个电性连接元件及一下晶片，所述下基板通过所述电性连接元件电性连接所述上基板，所述下晶片包含第一表面及背对第一表面的第二表面，所述下晶片设置在所述下基板上且所述下晶片的第一表面与所述下基板电性连接。所述导热介面层结合在所述上基板的第一导热区域与所述下晶片的第二表面之间。再者，本专利技术另一实施例提供另一种堆迭封装构造，其中所述堆迭封装构造包含一上封装体、一导热垫及一下封装体，所述上封装体包含一上基板及一上晶片，所述上基板具有一上表面及一背对所述上表面的下表面，所述导热垫设置于所述上基板的上表面，所述上晶片设置在所述导热垫上且电性连接所述上基板，所述下封装体包含一下基板、数个电性连接元件及一下晶片，所述下基板通过所述电性连接元件电性连接所述上基板，所述下晶片包含一第一表面及背对第一表面的第二表面，所述下晶片设置在所述下基板上且所述下晶片的第一表面与所述下基板电性连接。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下 附图说明图1是本专利技术一实施例堆迭封装构造的示意图。图2是本专利技术另一实施例堆迭封装构造的示意图。图3是本专利技术又一实施例堆迭封装构造的示意图。图4是本专利技术再一实施例堆迭封装构造的示意图。图5是本专利技术图1实施例堆迭封装构造的组装示意图。图6是本专利技术图3实施例堆迭封装构造的组装示意图。具体实施例方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水准、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。请参照图1所示，本专利技术一实施例的堆迭封装构造100造主要包含一上封装体1，一下封装体2及一导热介面层3。所述上封装体I包含一上基板11、一上晶片14及一上封装胶材15，所述下封装体2包含一下基板21、数个电性连接元件22、一下晶片23及一下封装胶材24，本专利技术将于下文逐一详细说明本实施例上述各元件的细部构造、组装关系及其运作原理。请参照图1所示，在本实施例中，所述上基板11及下基板21例如选自硬式(rigid)或可挠式(flexible)的封装等级有机印刷电路板(printed circuitboard，PCB)，但本专利技术并不局限于此。所述上基板11及下基板21主要由数个金属层(即线路层)及绝缘树脂层交替堆迭而成。请参照图1所示，所述上基板11包含一上表面(未标示)、一背对所述上表面的下表面(未标不)、一设置在下表面的第一图案化金属层111、一设置在上表面的第二图案化金属层112及一覆盖在上、下表面的阻焊层113，所述第一图案化金属层111包含一第一导热区域1111及一第一电路区域1112，所述阻焊层113在下表面以一凹口 110裸露所述第一导热区域1111，且所述导热介面层3可嵌设于所述凹口 110内。再者，所述阻焊层113在上表面的第二图案化金属层112亦可选择性的以另一凹口 110’裸露所述第二导热区域1121，所述上晶片14的一背面朝下设置在所述第二导热区域1121上，且所述上晶片14的一有源表面朝上且电性连接所述上基板11的第二电路区域1122，其中所述第二导热区域1121与所述第一导热区域1111相对应。更详细来说，在本实施例中，且所述第一导热区域1111及第二导热区域1121为金属材料(例如铜)，也就是由所述第一图案化金属层111及第二图案化金属层112的一部份直接做为所述第一导热区域1111及第二导热区域1121，所述阻焊层113为防焊绿漆(solder mask),其覆盖于所述第一图案化金属层111及第二图案化金属层112上并裸露一部份，以保护所述第一图案化金属层111及第二图案化金属层112避免因刮伤造成短、断路现象，其中所述裸露的第二电路区域1122可做为数个焊垫，其可通过焊线(未标示)与所述打线型的上晶片14电性连接。另外，所述上晶片14也可以直接以倒装晶片的方式设置在所述上基板11的上表面的数个焊垫，此时不设置所述第二导热区域1121，因此并不以本实施例为限。再者，所述上封装胶材15例如为环氧树脂及绝缘颗粒(如氧化铝或二氧化硅)的混合物，所述上封装胶材15用以包覆保护所述上晶片14、焊线及所述上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种堆迭封装构造，其特征在于：所述堆迭封装构造包含：一上封装体，包含一上基板及一上晶片，所述上基板包含一上表面、一背对所述上表面的下表面及一设置在所述下表面的第一图案化金属层，所述图案化金属层包含第一导热区域，所述上晶片设置在所述上基板的上表面且电性连接所述上基板；一下封装体，包含一下基板、数个电性连接元件及一下晶片，所述下基板通过所述电性连接元件电性连接所述上基板，所述下晶片包含第一表面及背对第一表面的第二表面，所述下晶片设置在所述下基板上且所述下晶片的第一表面与所述下基板电性连接；及一导热介面层，结合在所述上基板的第一导热区域与所述下晶片的第二表面之间。

【技术特征摘要】
1.一种堆迭封装构造，其特征在于所述堆迭封装构造包含 一上封装体，包含一上基板及一上晶片，所述上基板包含一上表面、一背对所述上表面的下表面及一设置在所述下表面的第一图案化金属层，所述图案化金属层包含第一导热区域，所述上晶片设置在所述上基板的上表面且电性连接所述上基板； 一下封装体，包含一下基板、数个电性连接元件及一下晶片，所述下基板通过所述电性连接元件电性连接所述上基板，所述下晶片包含第一表面及背对第一表面的第二表面，所述下晶片设置在所述下基板上且所述下晶片的第一表面与所述下基板电性连接；及 一导热介面层，结合在所述上基板的第一导热区域与所述下晶片的第二表面之间。2.如权利要求1所述堆迭封装构造，其特征在于所述第一导热区域为金属材料。3.如权利要求1所述堆迭封装构造，其特征在于所述第一导热区域的面积与下晶片的面积的比值为I至1. 3之间。4.如权利要求1所述堆迭封装构造，其特征在于所述上基板还包含一设置在所述上表面的第二图案化金属层，所述第二图案化金属层包含一第二导热区域，所述第二导热区域与所述第一导热区域相对应，且所述上晶片设置在所述第二导热区域上。5.如权利要求4所述堆迭封装构造，其特征在于所述第二导热区域与所述第一导热区域的材料相同。6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄东鸿，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：