【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及IGBT功率模块。
技术介绍
电力电子技术的迅猛发展对电力电子器件的模块化要求日益迫切，同时也对模块的性能提出了更高的要求，如今，功率模块正朝着大功率、高频、高可靠性、低损耗方向发展。因此，对导热绝缘基板的性能提出了挑战。IGBT功率模块作为一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT 功率模块的结构一般由芯片、基板以及芯片和基板之间的导热绝缘基板构成，目前，IGBT模块结构中的导热绝缘基板采用薄铜片与陶瓷构成，然而，薄铜片的采用不利于热量的散开， 从而限制了 IGBT模块的散热效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种IGBT功率模块，其具有高散热性能。本专利技术解决技术问题所采用技术方案是一种IGBT功率模块，包括芯片、导热绝缘基板、基板，芯片与导热绝缘基板之间通过第一锡焊层固定连接，基板与导热绝缘基板之间通过第二锡焊层固定连接，导热绝缘基板由上敷铜层、陶瓷层、下敷铜层组成，下敷铜层的厚度为1. 5-2. 0_。导热绝缘基板将芯片与基板绝缘，并在芯片与基板之间传递热量，导热绝缘基板不仅起到绝缘作用，还起着传导热量的作用，即将绝缘栅双极型晶体管和二极管芯片所产生的热量自上往下传导到基板，然后再由基板传导到散热器，对功率模块进行散热，本专利技术中导热绝缘基板比传统IGBT功率模块中的导热绝缘基板的下敷铜层厚度增加5倍左右，增大了散热面积，克服了薄铜层不利于热量散开的缺陷，极大提高了 IGBT功率模块的散热性能。在采用上述技术方案的同时，本专利技术还可以采用或者组...
【技术保护点】
一种IGBT功率模块，包括芯片(1)、导热绝缘基板、基板(7)，其特征是：导热绝缘基板将芯片(1)与基板(7)绝缘，并在芯片(1)与基板(7)之间传递热量，芯片(1)与导热绝缘基板之间通过第一锡焊层(2)固定连接，基板(7)与导热绝缘基板之间通过第二锡焊层(6)固定连接,导热绝缘基板由上敷铜层(3)、陶瓷层(4)、下敷铜层(5)组成，下敷铜层(5)的厚度为1.5?2.0mm。
【技术特征摘要】
1.一种IGBT功率模块，包括芯片(I)、导热绝缘基板、基板(7)，其特征是导热绝缘基板将芯片⑴与基板(7)绝缘，并在芯片⑴与基板(7)之间传递热量，芯片⑴与导热绝缘基板之间通过第一锡焊层(2)固定连接，基板(7)与导热绝缘基板之间通过第二锡焊层(6)固定连接，导热绝缘基板由上敷铜层(3)、陶瓷层(4)、下敷铜层(5)组成，下敷铜层(5)的厚度为1. 5-2. 0mm。2.根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块，其特征是导热绝缘基板由上敷铜层(3)、陶瓷层(4)、...
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