半导体装置的制造方法和半导体装置的制造系统制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法和半导体装置的制造系统。
技术介绍
近年来，对IGBT (绝缘栅双极型晶体管)的半导体晶片的厚度尽心减小，以加强IGBT的性能并减少IGBT的成本。例如，为了加强IGBT的性能并减少IGBT的成本，有必要使半导体晶片的厚度减薄到50微米到100微米或更小的数量级上。对于装置厚度减小的半导体装置的制造方法，提出如下一种制造方法。根据该方法，在实施诸如半导体晶片的底面的背面磨削或硅蚀刻之类的加工直至半导体晶片的厚度减小到规定厚度之前，大量装置结构形成于半导体晶片的顶面上。随后，对于形成于半导体晶片的顶面上的每个装置结构实施切割，以将半导体晶片切断以分开成各具有装置结构的单个半导体芯片。 对于装置厚度减小的半导体装置的另一制造方法，提出如下一种制造方法。根据该方法，在装置结构形成于半导体晶片的顶面上之后，在半导体晶片的顶面的切割线上形成凹槽，每个凹槽的深度大于例如完成后半导体装置的规定厚度。然后，实施诸如半导体晶片的底面的背面磨削或硅蚀刻之类的加工，直至半导体晶片的厚度减小到规定厚度，通过这种加工，形成于半导体晶片的顶面上的凹槽使...
【技术保护点】
一种用于从粘附板拾取半导体芯片的半导体装置制造方法，所述半导体芯片通过借助切割来切断粘着于所述粘附板的半导体晶片来形成，所述方法包括如下步骤：准备平台，所述平台具有位于其上表面上的多个槽、排空装置和将吸力施加于所述半导体芯片的吸引装置；将半导体芯片安装在所述平台上，以使所述半导体芯片的端部的方向相对于所述平台上的所述槽的方向形成规定角度，而使所述半导体芯片的粘着有粘附板的表面侧位于所述平台侧；使半导体芯片保持在顶部上，而所述粘附板介于所述顶部和所述半导体芯片之间，所述顶部由所述平台上的所述槽的开口侧上的端部来构成，而由与所述平台接触的所述粘附板和所述平台上的所述槽围绕的空间...
【技术特征摘要】
2011.10.14 JP 2011-227472;2012.08.02 JP 2012-17211.一种用于从粘附板拾取半导体芯片的半导体装置制造方法，所述半导体芯片通过借助切割来切断粘着于所述粘附板的半导体晶片来形成，所述方法包括如下步骤 准备平台，所述平台具有位于其上表面上的多个槽、排空装置和将吸カ施加于所述半导体芯片的吸引装置； 将半导体芯片安装在所述平台上，以使所述半导体芯片的端部的方向相对于所述平台上的所述槽的方向形成规定角度，而使所述半导体芯片的粘着有粘附板的表面侧位于所述平台侧； 使半导体芯片保持在顶部上，而所述粘附板介于所述顶部和所述半导体芯片之间，所述顶部由所述平台上的所述槽的开ロ侧上的端部来构成，而由与所述平台接触的所述粘附板和所述平台上的所述槽围绕的空间通过排空装置来排空；以及 由所述吸引装置将吸カ施加于保持在所述顶部处的所述半导体芯片，以拾取所述半导体芯片。2.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其特征在于，在安装所述半导体芯片的步骤中，将所述半导体芯片安装在所述平台上，以使在所述半导体芯片的平台侧表面上，所述顶部与所述半导体芯片的作为所述端部中的一个端部的至少ー侧接触。3.如权利要求1或2所述的半导体装置制造方法，其特征在于，在保持所述半导体芯片的步骤中，所述空间被排空以使粘着于所述半导体芯片的所述粘性板变形成沿所述槽的侧壁来粘附，由此，使所述半导体芯片保持在顶部处。4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置制造方法，其特征在于，在保持所述半导体芯片的步骤中，所述空间被排空到所述半导体芯片的与所述粘附板接触的部分仅是对应于所述顶部的部分的程度，由此使所述半导体芯片保持在所述顶部处。5.一种用于从粘附板拾取半导体芯片的半导体装置制造系统，所述半导体芯片通过借助切割来切断粘着于粘附板的半导体晶片来形成，所述系统包括 安装有所述半导体芯片的平台，所述平台具有多个槽和至少ー个气孔，所述多个槽以规定的间隔形成于所述平台的安装有所述半导体芯片的表面上，而所述至少ー个气孔形成于所述平台内，以连接到所述槽中的至少ー个槽； 顶部，所述顶部由所述槽的开ロ侧上的端部来构成，以在所述粘附板介于所述顶部和所述半导体芯片之间的状态下将所述半导体芯片...
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