【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种导体结构的制造方法以及画素结构的制造方法。
技术介绍
导体结构的图案化制程一般以微影蚀刻制程来进行。微影蚀刻制程是于导体层上覆盖光阻材料，再以具有特定图案的罩幕进行曝光程序。接着，进行显影程序移除部分的光阻材料后，完成图案化光阻层。然后，再以图案化光阻层为罩幕对导体层进行蚀刻程序，并完成具有特定图案的导体结构。在微影蚀刻制程中，导体的线宽以及导体间距通常是取决于曝光机的曝光解析度。以画素结构中的薄膜电晶体而言，汲极与源极的图案可由微影蚀刻制程来定义，其中汲极与源极的图案尺寸以及汲极与源极之间的距离决定了薄膜电晶体的通道宽度/ 通道长度比(W/L)。然而，受限于曝光机的曝光解析度，最小约3 ym左右，因此薄膜电晶体的通道宽度/通道长度比提升的裕度有限，不利于提升薄膜电晶体的开电流(Ion)。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种画素结构的制造方法，其可以有效地减少汲极与源极之间的间距。本专利技术的另一目的是提供一种导体结构的制造方法，其可以有效地减少导体图案之间的间距。本专利技术提出一种画素结构的制造方法，包括以下的步骤。于基板上形成闸极、绝...
【技术保护点】
一种画素结构的制造方法，其特征在于：包括：于一基板上形成一闸极、一绝缘层以及一通道层，其中该绝缘层覆盖该闸极，该通道层配置于该绝缘层上且对应该闸极设置；于该基板上形成一第一导体层，该第一导体层覆盖该绝缘层以及该通道层；于该第一导体层上形成一第一图案化光阻层，该第一图案化光阻层覆盖部分该第一导体层，且暴露出该第一导体层的一第一部分，该第一图案化光阻层具有由该第一图案化光阻层的侧面往内部延伸一段距离的一第一边缘区；以该第一图案化光阻层为罩幕，对该第一导体层进行一等向性移除制程以形成一第一图案化导体层，其中该等向性移除制程移除该第一导体层的该第一部分以暴露出该通道层的一第一表面区...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高金字，吕雅茹，吴国伟，欧阳志升，
申请(专利权)人：福建华映显示科技有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。