画素结构制造技术

本发明专利技术属于液晶显示器的制造领域，具体是提供一种画素结构，其包含有设置于调整电容与画素电容之间的一静电释放组件，用以释放累积于调整电容与画素电容之间的静电荷，因此可降低显示画面的烧付问题。

Pixel structure

The invention belongs to the field of manufacturing liquid crystal display device, in particular to a pixel structure, which comprises a static set between the capacitor and the capacitance of the adjustment pixel release components, used to release the electrostatic charge accumulated in capacitor and capacitor between the adjustment pixel, thus reducing the display fired problem.

【技术实现步骤摘要】
画素结构本申请是专利技术名称为“画素结构”的分案申请，原申请号为200910112488.6，申请 日为2009年9月10日。
本专利技术关于一种画素结构，尤指一种具有防止静电荷累积功能设计的画素结构， 属于液晶显示器制造领域。
技术介绍
液晶显示器已被广泛地应用在各式电子产品，如手机、个人数字助理(PDA)及笔 记型计算机(notebook)等，且随着大小尺寸平面显示器市场的快速发展，具有轻薄短小特 性的液晶显示器更是扮演着相当重要的角色，而逐渐取代阴极射线管(CRT)显示器成为市 场主流。请参考附图说明图1，图1是传统电容耦合式(Capacitance Coupling Type,C-C type)画 素结构的示意图。如图1所示，传统电容耦合式画素结构100主要包含一扫描线102、一数 据线104、一共通线106、一薄膜晶体管108、一第一画素电容110、一第二画素电容112、一 储存电容114、一调整电容116、一第一区域118以及一第二区域120。其中，第一画素电容 110与薄膜晶体管108直接电性连接，而调整电容116设置于薄膜晶体管108与第二画素 电容112之间。当电容耦合式画素结构100内的薄膜晶体管108对第一区域118以及第二 区域120进行充放电时，由于调整电容116的设置使得第一区域118与第二区域120内具 有不同的等效电容效应，使第一区域118与第二区域120内具有不同驱动电压与不同辉度。 然而，在组件实际操作上，传统电容耦合式画素结构100的静电荷容易累积于第二画素电 容Il2与调整电容Il6之间而无法释放而产生静电场，严重时甚至会使液晶受离子污染，而 使显示画面有烧付问题。因此，如何发展具有防止静电荷累积功能的画素结构以解决传统 电容耦合式技术无法克服的缺点，乃是目前业界努力之重要目标。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种画素结构，以解决传统画素静电荷累积 的问题。为解决上述技术问题，本专利技术揭露一种画素结构，其包含一扫描线、一数据线、一 讯号线、一储存电容、一第一薄膜晶体管、一第一画素电容、一调整电容、一第二画素电容， 以及一双向触发开关。所述储存电容，包含一第一端与一第二端。所述第一薄膜晶体管，包 含一第一间极电极端、一第一源极电极端以及一第一汲极电极端，其中第一间极电极端与 扫描线电性连接，第一源极电极端与数据线电性连接，且第一汲极电极端与储存电容的第 一端电性连接。第一画素电容，包含一第一端与一第二端，其中第一画素电容的第一端与第 一汲极电极端电性连接，且第一画素电容的第二端与一共通电位电性连接。所述调整电容， 包含一第一端与一第二端，其中调整电容的第一端与第一汲极电极端电性连接。所述第二画素电容，包含一第一端与一第二端，其中第二画素电容的第一端与调整电容的第二端电 性连接，且第二画素电容的第二端与共通电位电性连接。所述双向触发开关，包含一第一端 与一第二端，其中双向触发开关的第一端与调整电容的第二端以及第二画素电容的第一端 电性连接。为解决上述技术问题，本专利技术又揭露一种画素结构，其包含一扫描线、一数据线、 一第一振荡讯号线、一第二振荡讯号线、一第一区域、一第二区域、一第一储存电容、一第一 薄膜晶体管、一第一画素电容、一第一调整电容、一第一调整电容、一第二画素电容、一第一 双向触发开关、一第二储存电容、一第三薄膜晶体管、一第三画素电容、一第二调整电容、一 第四画素电容，以及一第二双向触发开关。所述第一振荡讯号线，具有一第一时变周期性讯 号。所述第二振荡讯号线，具有一第二时变周期性讯号，且第一时变周期性讯号不同于第二 时变周期性讯号。所述第一区域，位于第一振荡讯号线与扫描线之间。所述第二区域，位于 第二振荡讯号线与扫描线之间。所述第一储存电容，位于第一区域，包含一第一端与一第二 端，且第一储存电容的第二端与第一振荡讯号线电性连接。所述第一薄膜晶体管，位于第一 区域，包含一第一间极电极端、一第一源极电极端以及一第一汲极电极端，其中第一闸极 电极端与扫描线电性连接，第一源极电极端与数据线电性连接，且第一汲极电极端与第一 储存电容的第一端电性连接。所述第一画素电容，位于第一区域，包含一第一端与一第二 端，其中第一画素电容的第一端与第一汲极电极端电性连接，且第一画素电容的第二端与 一共通电位电性连接。所述第一调整电容，位于第一区域，包含一第一端与一第二端，其中 第一调整电容的第一端与第一汲极电极端电性连接。所述第二画素电容，位于第一区域，包 含一第一端与一第二端，其中第二画素电容的第一端与第一调整电容的第二端电性连接， 且第二画素电容的第二端与共通电位电性连接。所述第一双向触发开关，位于第一区域，包 含一第一端与一第二端，其中第一双向触发开关的第一端与第一调整电容的第二端以及第 二画素电容的第一端电性连接。第二储存电容，位于第二区域，包含一第一端与一第二端， 且第二储存电容的第二端与第二振荡讯号线电性连接。所述第三薄膜晶体管，位于第二区 域，包含一第三间极电极端、一第三源极电极端以及一第三汲极电极端，其中第三间极电极 端与扫描线电性连接，第三源极电极端与数据线电性连接，且第三汲极电极端与第二储存 电容的第一端电性连接。所述第三画素电容，位于第二区域，包含一第一端与一第二端，其 中第三画素电容的第一端与第三汲极电极端电性连接，且第三画素电容的第二端与一共通 电位电性连接。所述第二调整电容，位于第二区域，包含一第一端与一第二端，其中第二调 整电容的第一端与第三汲极电极端电性连接。所述第四画素电容，位于第二区域，包含一第 一端与一第二端，其中第四画素电容的第一端与第二调整电容的第二端电性连接，且第四 画素电容的第二端与共通电位电性连接。所述第二双向触发开关，位于第二区域，包含一第 一端与一第二端，其中第二双向触发开关的第一端与第二调整电容的第二端以及第四画素 电容的第一端电性连接。本专利技术的优点在于本专利技术画素结构设置调整电容，以于画素结构内各不同位置 形成不同等效电容，使画素结构内各位置呈现不同辉度，以展现更优质的广视角显示技术。 此外，本专利技术画素结构利用静电释放组件释放累积于调整电容与画素电容之间的静电荷， 因此可降低显示画面的烧付问题。下面参照附图结合实施例对本专利技术作进一步的说明。图1为传统电容耦合式画素的结构示意图。图2为本专利技术画素结构的第一较佳实施例等效电路示意图。图3绘示了图2的画素结构的结构剖面示意图。图4为本专利技术画素结构的第二较佳实施例等效电路示意图。图5为本专利技术画素结构的第三较佳实施例等效电路示意图。图6为本专利技术画素结构的第四较佳实施例等效电路示意图。图7为图6本专利技术画素结构的第四较佳实施例部份结构剖面示意图。图8绘示了图7双向触发开关的俯视图。图9为本专利技术画素结构第五较佳实施例等效电路示意图。图10为本专利技术画素结构第六较佳实施例等效电路示意图。图11为本专利技术画素结构第七较佳实施例等效电路示意图。具体实施方式请参考图2与图3。图2为本专利技术画素结构的第一较佳实施例等效电路示意图，图 3绘示了图2的画素结构的结构剖面示意图。如图2所示，本专利技术画素结构200包含一扫描 线201、一数据线202、一讯号线204、一储存电容206、一第一薄膜晶体管208、一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种画素结构，包括一扫描线、一资料线、一储存电容、一第一画素电容、一调整电容以及一第二画素电容，其特征在于：还包括一讯号线、一数据线、一第一薄膜晶体管和一双向触发开关；其中，所述储存电容，包含一第一端与一第二端；所述第一薄膜晶体管，包含一第一闸极电极端、一第一源极电极端以及一第一汲极电极端，其中该第一闸极电极端与所述扫描线电性连接，该第一源极电极端与所述数据线电性连接，且该第一汲极电极端与所述储存电容的第一端电性连接；所述第一画素电容，包含一第一端与一第二端，其中该第一画素电容的第一端与所述第一汲极电极端电性连接，且该第一画素电容的第二端与一共通电位电性连接；所述调整电容，包含一第一端与一第二端，其中该调整电容的第一端与所述第一汲极电极端电性连接；所述第二画素电容，包含一第一端与一第二端，其中该第二画素电容的第一端与所述调整电容的第二端电性连接，且所述第二画素电容的第二端与该共通电位电性连接；所述双向触发开关，包含一第一端与一第二端，其中该双向触发开关的第一端与所述调整电容的第二端以及所述第二画素电容的第一端电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡乙诚，康良豪，
申请(专利权)人：福建华映显示科技有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：35