阵列基板及其制造方法和液晶显示器技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板的像素区域中形成有横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像素单元中包括开关元件、像素电极和公共电极，所述公共电极为具有狭缝且布设在像素区域中的整块图案，其中：所述像素区域中还形成有公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极连通。本发明专利技术在液晶显示器的阵列基板的像素区域形成公共电极线，并且公共电极线与公共电极连通，公共电极线与公共电极可以形成并联电路，减小了公共电极的电阻，从而减小公共电极的RC信号延迟，提高公共电压信号的负荷能力，因此，可以减弱串扰现象，提高液晶显示器的画面质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。
技术介绍
液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。 TFT-LCD由于其低成本、高良率以及良好的显示效果，使得其在中小尺寸领域，占据着绝大 部分的市场份额。尽管TFT-LCD的工艺已经日渐成熟，但画面品质仍需要不断提高，以满 足消费者的挑剔需求。比如现有的宽视角技术包括边缘场切换开关技术和(Fringe Field Switching，简称 FFS)和高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching ； 简称AD-SDS)。AD-SDS通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层 与公共电极层间产生的纵向电场形成多维空间复合电场，使液晶盒内像素电极间、电极正 上方以及液晶盒上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶 工作效率并增大了透光效率，可以提高TFT-IXD画面品质，具有宽视角、高开口率、低响应 时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。但由于FFS或AD-SDS型阵列基板制备过 程、电场形成和液晶偏转模式等原因，造成公共电压(V。。m)的信号延迟比较严重，产生串扰 (Crosstalk)的现象明显。串扰是画面质量的重要参数，可以表征一个区域灰阶画面，对其 相邻像素区域的画面影响程度。行业标准一般要求串扰< 2%。公共电极与像素电极之间形成的电容是公共电极产生信号延迟的重要因素，该电 容的大小可以参见计算公式c= ε r ε 0*S/do其中C为电容；、为相对介电常数，与材料 特性有关；ε ο为绝对介电常数；S为电极的面积；d为电极之间的距离。图1为FFS或AD-SDS 模式下公共电极与像素电极之间形成的电容的示意图，图2为TN模式下公共电极与像素电 极之间形成的电容的示意图，如图1和图2所示，公共电极13通公共电压(V。。m)信号，像素 电极11通公共电压(Vpijrel)信号，并且公共电极与像素电极之间形成的电容。其中，如图1 所示，公共电极13与像素电极11处于阵列基板50上，公共电极13与像素电极11之间的 电容介质是钝化层(PVX)，其、约为5，d约为0.5um。如图2所示，在TN模式中，公共电 极13处于彩膜基板上，像素电极11处于阵列基板60上，公共电极13与像素电极11之间 的电容介质是液晶(LC)，其、约在4 12之间，d约为5um。参见上述公式可估算得到， Ccoffl约为TN模式下的C。。m10倍，公共电极与像素电极形成的电容要比TN模式下高出近一个 数量级，因此，相比于TN模式，FFS或AD-SDS模式的公共电压(V。。m)负荷(Loading)能力很 低，产生的串扰现象明显。MJfn^ji^MMWMJf^ii^ (High aperture ratio Fringe FieldSwitching, 简称HFFS)和高开口率高级超维场开关技术(High apertureratioAD-SDS ；简称 HAD-SDS)，主要应用于中小尺寸的TFT-IXD。HFFS或HAD-SDS型阵列基板的典型结构是包 括衬底基板，衬底基板上形成有横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像 素单元中包括开关元件、像素电极和具有狭缝的公共电极，各像素单元构成像素区域，像素区域外围是接口区域，矩阵状排列的像素电极与整块的公共电极相对设置，且公共电极具 有狭缝。图3为现有HFFS或HAD-SDS电场形成及液晶旋转的示意图。如图3所示，公共电 极和像素电极均位于阵列基板上，且可以均由纳米铟锡氧化物andium Tin Oxides ；简称 ΙΤ0)形成。具有狭缝的公共电极13与像素电极11形成水平电场70，可以使阵列基板50 与彩膜基板60之间水平排布的液晶(LC)分子旋转，起到一个光阀的作用。图4为HFFS或 HAD-SDS层次结构的示意图，如图4所示，采用6次光刻工艺制成的HFFS或HAD-SDS沉积 刻蚀的先后顺序可以为栅线和栅电极(fete)、栅绝缘层(GI)、有源层(Active)、像素电极 (第一层ΙΤ0)、源漏电极(SD)、钝化层(PVX)、公共电极(第二层ΙΤ0)；采用5次光刻工艺 制成HFFS或HAD-SDS沉积刻蚀的先后顺序可以为栅线和栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏 电极、像素电极、钝化层、公共电极。HFFS或HAD-SDS的公共电极具有狭缝，比平铺的整块公共电极电阻更大，公共电 极的RC信号延迟更大，使得公共电压信号的负荷(Loading)能力下降，进而串扰现象更加 明显，影响画面品质。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器，以减弱液晶显示器的串扰 现象，提高液晶显示器的画面质量。本专利技术提供一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板的像素区域中形成有横 纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像素单元中包括开关元件、像素电极 和公共电极，所述公共电极为具有狭缝且布设在像素区域中的整块图案，其特征在于所述像素区域中还形成有公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极连通。本专利技术又提供一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板的像素区域中形成栅 线、开关元件、数据线、像素电极和公共电极的流程，所述公共电极为具有狭缝且布设在像 素区域中的整块图案，其中，还包括在所述像素区域中，与所述栅线和/或数据线同层形成公共电极线的图案，所述 公共电极线与所述栅线和/或数据线相互平行；本专利技术还提供一种液晶显示器，包括液晶面板，其特征在于所述液晶面板包括对 盒设置的彩膜基板和本专利技术提供的阵列基板，所述彩膜基板和阵列基板中夹设有液晶层。本专利技术在液晶显示器的阵列基板的像素区域形成公共电极线，并且公共电极线与 公共电极连通，公共电极线与公共电极可以形成并联电路，减小了公共电极的电阻，从而减 小公共电极的RC信号延迟，提高公共电压信号的负荷能力，因此，可以减弱串扰现象，提高 液晶显示器的画面质量。附图说明图1为FFS或AD-SDS模式下公共电极与像素电极之间形成的电容的示意图；图2为TN模式下公共电极与像素电极形成之间形成的电容的示意图；图3为现有HFFS或HAD-SDS电场形成及液晶旋转的示意图；图4为HFFS或HAD-SDS层次结构的示意图5为本专利技术实施例一提供的阵列基板的结构示意图；图6A为本专利技术实施例二提供的阵列基板的方式一的结构示意图；图6B为本专利技术实施例二提供的阵列基板的方式二的结构示意图；图6C为本专利技术实施例二提供的阵列基板的方式三的结构示意图；图7A为本专利技术实施例三提供的阵列基板的制造方法的流程图；图7B为本专利技术实施例三提供的阵列基板的制造方法中形成栅线和栅电极的衬底 基板的局部俯视结构示意图；图7C为图7B中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；图7D为本专利技术实施例三提供的阵列基板的制造方法中形成数据线、公共电极线、 源电极、漏电极和有源层的衬底基板的一种局部俯视结构示意图；图7E为图7D中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；图7F为本专利技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板的像素区域中形成有横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像素单元中包括开关元件、像素电极和公共电极，所述公共电极为具有狭缝且布设在像素区域中的整块图案，其特征在于：所述像素区域中还形成有公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极连通。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄炜赟，高永益，玄明花，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11