顶栅氧化物薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术公开了顶栅氧化物薄膜晶体管的制造方法，所述顶栅氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极，所述源极和漏极分别与氧化物半导体层接触，所述氧化物半导体层采用氧化铟、氧化镓、氧化锌或氧化锡、或者铟、镓、锌、锡的二元或多元氧化物，采用变化的磁场对源极、漏极和氧化物半导体层进行辐射。本发明专利技术的顶栅氧化物薄膜晶体管的场效应迁移率较高，而且其输出特性在低漏极电压时，也不会出现电流拥挤现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及顶栅型薄膜晶体管领域，尤其涉及。
技术介绍
与目前在液晶显示器有源驱动矩阵中广泛采用的非晶硅TFT (薄膜场效应晶体管)相比，氧化物半导体TFT具有如下优势(1)场效应迁移率高；(2)开关比高；(3)制备工艺温度低；(4)可以制作大面积非晶薄膜，均匀性好，具有良好一致的电学特性；(5)受可见光影响小，比非晶硅和有机薄膜晶体管稳定；(6)可以制作成透明器件。在平板显示领域，氧化物TFT技术几乎满足包括AMOLED驱动、快速超大屏幕液晶显示、3D显示等诸多显示模式的所有要求。在柔性显示方面，衬底材料不能承受高温，而氧化物TFT的制备工艺温度低，与柔性衬底兼容，因而具备较大优势。·基于氧化物半导体的顶栅薄膜晶体管的优点有光刻工艺次数少，制造工艺简单，制造成本低；栅极与源漏极之间的寄生电容小；不存在反交叠结构中台阶覆盖的问题，栅极绝缘层可以很薄，栅极可以更厚，有利于减小RC导致的信号延迟；有源层也可以很薄，有利于减少有源层对光的吸收，降低光对TFT性能的影响；适合R2R工艺(卷对卷工艺)。但是，目前顶栅薄膜晶体管器件的性能较低，其表现在1、晶体管的场效应迁移率较低；2、TFT本文档来自技高网...

【技术保护点】
顶栅氧化物薄膜晶体管的制造方法，所述顶栅氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极，所述源极和漏极分别与氧化物半导体层接触，其特征是：所述氧化物半导体层采用氧化铟、氧化镓、氧化锌或氧化锡、或者铟、镓、锌、锡的二元或多元氧化物，采用变化的磁场对源极、漏极和氧化物半导体层进行辐射。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘萍，
申请(专利权)人：深圳丹邦投资集团有限公司，
类型：发明
国别省市：