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本发明公开了顶栅氧化物薄膜晶体管的制造方法，所述顶栅氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极，所述源极和漏极分别与氧化物半导体层接触，所述氧化物半导体层采用氧化铟、氧化镓、氧化锌或氧化锡、或者铟、镓、锌、锡的二元或多元氧化物，采用变化...
该专利属于深圳丹邦投资集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳丹邦投资集团有限公司授权不得商用。

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