一种用于低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种用于低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：形成多晶硅主动层，以便在基板上定义出多晶硅主动区；形成图案化的透明导电氧化物金属层，用以定义出漏极掺杂区与源极掺杂区；形成栅极金属层；采用离子植入制程，形成该漏极掺杂区、该源极掺杂区以及轻掺杂漏极端；分别形成漏极金属层和源极金属层于栅极金属层的两侧；以及形成绝缘保护层于漏极金属层和源极金属层的上方。相比于现有技术，本发明专利技术利用透明导电氧化物金属层及栅极绝缘层的总厚度与单个栅极绝缘层之间的厚度差异，搭配P+植入能量，从而使用同一道掺杂制程即可达到轻掺杂漏极端、漏极掺杂区和源极掺杂区所需的掺杂剂量，进而减少光罩的使用数量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管，尤其涉及。
技术介绍
传统的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-1XD)的制程往往是以沉积方式，将液晶显示器的各层结构依序沉积堆叠到基板上，为了实现高精细度的组件与像素排列，低温多晶娃薄膜晶体管(Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor, LTPS TFT)具有高载流子迁移率 (Mobility)与高输出电流等特性，常用于高分辨率显示器上，并且，低温多晶硅技术已逐渐取代非晶硅技术从而成为薄膜晶体管研发的主流。东芝股份有限公司(Kabushiki Kaisha Toshiba)的一篇申请号为US6，037，195 的美国专利提供了一种薄膜晶体管的制造方法。为制造CMOS多晶硅薄膜晶体管，其制造步骤需使用多达8道光罩(针对液晶显示产品)，而当其应用于OLED (Organic Light Emitting Diode)液晶显示产品时则最少需使用9道光罩，远较一般的非晶硅组件的5道或 6道光罩更为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于低温多晶硅薄膜晶体管（Low?Temperature?Polycrystalline?Silicon?Thin?Film?Transistor，LTPS?TFT）的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：形成一多晶硅主动层，藉由所述多晶硅主动层在完成前置处理的基板上定义出一多晶硅主动区；形成一图案化的透明导电氧化物金属层，用以在所述多晶硅主动层定义出一漏极掺杂区与一源极掺杂区；形成一栅极金属层；采用离子植入制程，形成所述漏极掺杂区、所述源极掺杂区以及一轻掺杂漏极端（Lightly?Doped?Drain，LDD）；分别形成一漏极金属层和一源极金属层于所述栅极金属层的两侧；以及形成...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴彦佑，方俊雄，蔡志鸿，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：