图案、掩模图案形成方法和半导体器件制造方法技术

本发明专利技术公开一种图案形成方法、掩模图案形成方法和半导体器件制造方法，涉及半导体工艺技术领域。该图案形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成包括嵌段共聚物的聚合物薄膜，其中构成嵌段共聚物的组分彼此之间不混溶；通过压模压印聚合物薄膜形成第一图案；对第一图案内的共聚物进行定向自组装形成分别由共聚物的不同组分组成的域；选择性地去除共聚物的组分组成的域以形成第二图案。本发明专利技术的实施例中，将压印技术与DSA工艺结合，获得更精细的节距图案，上述过程不需要曝光，和现有技术相比具有工艺简单的优点。此外，压印所用的压模可以具有相对宽的节距，使得压模容易制造和对准。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺
，尤其涉及一种图案形成方法、掩模图案形成方法和半导体器件制造方法。
技术介绍
随着技术工艺按比例缩小，用当前的平版印刷技术(Lithography)很难获得更精细的节距(Pitch)图案，双图案技术是一种具有可行性的潜在解决方案。目前双图案技术关注于LELE (LITH0-ETCH-LITH0-ETCH,光刻-蚀刻-光刻-蚀刻)、LFLE (LITH0-FREEZE-LITH0-ETCH,光刻-冻结-光刻-蚀刻)、和侧壁间隔物(SIDEWALLSPACER)。 然而，使用常规光学平版印刷，甚至昂贵和复杂的双图案形成方法，也很难越过22nm关键点。作为制作更小尺寸图案问题的可能解决方案，DSA(Directed self-assembly,定向自组装)技术已经引起人们的关注。DSA技术是将嵌段共聚合物(Block Copolymer,BCP)或是聚合物混合物沉积在衬底上，通常采用旋转涂布，并经由退火过程以‘指挥’其形成有序的结构。DSA能够形成小节距图案。在正确条件下，此类共聚物相的嵌段分离为微域(也称为“域”(domain))，且在此过程中，形成不同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图案形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成包括嵌段共聚物的聚合物薄膜，其中构成所述嵌段共聚物的组分彼此之间不混溶；通过压模压印所述聚合物薄膜形成第一图案；对所述第一图案内的共聚物进行定向自组装，形成分别由所述共聚物的不同组分组成的域；选择性地去除所述共聚物的组分组成的域以形成第二图案。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周俊卿，孟晓莹，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：