一种半导体器件，包括：一个基片，在基片上设有一个门，在接近门间隔物的基片之中形成的一个源/漏区，其中源/漏区包括第一及第二外延层，其中在第一外延层和基片之间在一个间层上形成的第二外延层比第一外延层的具有一个更高锗浓度。其中基片包括一个硅衬底。本发明专利技术就是通过将压力施加到一个门下面形成的一个沟道区来改进电流，以增加一个载体的可动性，用于克服现有技术存在强电流驾驶性能差的问题，可有效增加载体的可动性能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于一种电子器件，具体涉及一种半导体器件。
技术介绍
半导体器件，通常选用硅、锗或砷化镓这些半导体材料，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区另，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件的基本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶·体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、等系统中已得到广泛的应用。在一个半导体器件变得高度一体化的同时，将其维持在一个狭窄区域的一个沟道长度的边里已经变得日益重要，使其能够确保强电流通过。目前的现有技术存在强电流驾驶性能差的问题。
技术实现思路
本专利技术就是通过将压力施加到一个门下面形成的一个沟道区来改进电流，以增加一个载体的可动性，用于克服现有技术存在强电流驾驶性能受限制的问题，有效增加载体的可动性能。本专利技术通过以下技术方案实现 一种半导体器件包括一个基片，在基片上设有一个门，在接近门间隔物的基片之中形成的一个源/漏区，其中源/漏区包括第一及第二外延层，其中在第一外延层和基片之间在一个间层上形成的第二外延层比第一外延层的具有一个更高锗浓度。其中基片包括一个硅衬底。本专利技术具有以下有益效果通过将压力施加到一个门下面形成的一个沟道区来改进电流，以增加一个载体的可动性，用于克服现有技术存在强电流驾驶性能受限制的问题，增加载体的可动性能。具体实施例方式—种半导体器件，包括一个基片，在基片上设有一个门，在接近门间隔物的基片之中形成的一个源/漏区，其中源/漏 区包括第一及第二外延层，其中在第一外延层和基片之间在一个间层上形成的第二外延层比第一外延层的具有一个更高锗浓度。其中基片包括一个硅衬底。权利要求1.一种半导体器件，其特征是包括一个基片，在基片上设有一个门，在接近门间隔物的基片之中形成的一个源/漏区，其中源/漏区包括第一及第二外延层，其中在第一外延层和基片之间在一个间层上形成的第二外延层比第一外延层的具有一个更高锗浓度。2.据权利要求I所述的一种半导体器件，其特征是所述的基片包括一个硅衬底。全文摘要一种半导体器件，包括一个基片，在基片上设有一个门，在接近门间隔物的基片之中形成的一个源/漏区，其中源/漏区包括第一及第二外延层，其中在第一外延层和基片之间在一个间层上形成的第二外延层比第一外延层的具有一个更高锗浓度。其中基片包括一个硅衬底。本专利技术就是通过将压力施加到一个门下面形成的一个沟道区来改进电流，以增加一个载体的可动性，用于克服现有技术存在强电流驾驶性能差的问题，可有效增加载体的可动性能。文档编号H01L29/16GK102956688SQ201110255140公开日2013年3月6日 申请日期2011年8月31日 优先权日2011年8月31日专利技术者宫宁 申请人:宫宁本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征是：包括一个基片，在基片上设有一个门，在接近门间隔物的基片之中形成的一个源/漏区，其中源/漏区包括第一及第二外延层，其中在第一外延层和基片之间在一个间层上形成的第二外延层比第一外延层的具有一个更高锗浓度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宫宁，
申请(专利权)人：宫宁，
类型：发明
国别省市：
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