本实用新型专利技术是有关于一种半导体结构及其封装构造，该半导体结构包含一个载体以及多个钮扣状凸块，该载体具有多个凸块下金属层，所述钮扣状凸块形成于所述凸块下金属层上，各该钮扣状凸块具有承载部及连接该承载部的接合部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区，各该接合部覆盖各该承载面的该第一区。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体结构，特别是涉及一种具有钮扣状凸块的半导体结构。
技术介绍
现有习知的半导体封装结构具有基板、芯片及焊料，其中现有习知的半导体封装结构借由焊料使芯片的凸块与基板的连接垫电性接合，然而由于目前的电子产品体积越来越小，因此芯片上的凸块间距也越来越小，在此情形下，焊料在回焊时容易溢流至邻近凸块而广生短路的情形，影响广品的正品率。由此可见，上述现有的半导体结构在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述·问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的半导体结构及其封装构造，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本技术的目的在于，克服现有的半导体结构存在的缺陷，而提供一种新型结构的半导体结构及其封装构造，所要解决的技术问题是在提供一种半导体结构，非常适于实用。本技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本技术提出的其至少包含一个载体，其具有表面及多个形成于该表面的凸块下金属层；以及多个钮扣状凸块(snap bump)，其形成于所述凸块下金属层上，各该钮扣状凸块具有承载部及连接该承载部的接合部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区，各该接合部覆盖各该承载面的该第一区，且各该承载部具有第一厚度，各该接合部具有第二厚度。本技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体结构，其中所述的其另包含有镀金层，该镀金层包覆各该钮扣状凸块。前述的半导体结构，其中所述的各该凸块下金属层具有环壁，该镀金层包覆所述环壁。前述的半导体结构，其中所述的该第二厚度大于该第一厚度。前述的半导体结构，其中所述的各该承载部包含有第一承载层及第二承载层。前述的半导体结构，其中所述的所述承载部的材质能够选自于金、镍或铜等。前述的半导体结构，其中所述的所述接合部的材质能够选自于金、镍或铜等。前述的半导体结构，其中所述的所述凸块下金属层的材质能够选自于钛-铜、钛钨-铜或钛钨-金等。本技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本技术提出的其至少包含一个半导体结构，其包含一个载体，其具有表面及多个形成于该表面的凸块下金属层；及多个钮扣状凸块(snap bump)，其形成于所述凸块下金属层上，各该钮扣状凸块具有承载部及连接该承载部的接合部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区，各该接合部覆盖各该承载面的该第一区，且各该承载部具有第一厚度，各该接合部具有第二厚度；以及一个基板，其具有多个连接元件及多个焊料，各该焊料形成于各该连接元件上，所述连接元件结合于所述钮扣状凸块的所述接合部，所述焊料包覆所述接合部且所述焊料连接所述承载部及所述连接元件。本技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体封装构造，其中所述的所述焊料限位于所述承载面的所述第二区。前述的半导体封装构造，其中所述的各该连接元件具有外侧壁，该基板另具有多个金属环，各该金属环包覆各该外侧壁。前述的半导体封装构造，其中所述的所述金属环的材质为金。·前述的半导体封装构造，其中所述的该第二厚度大于该第一厚度。前述的半导体封装构造，其中所述的所述承载部的材质能够选自于金、镍或铜坐寸o前述的半导体封装构造，其中所述的所述接合部的材质能够选自于金、镍或铜坐寸O前述的半导体封装构造，其中所述的所述凸块下金属层的材质能够选自于钛-铜、钛钨铜或钛钨金等。本技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为达到上述目的，本技术提供了一种半导体结构，其包含载体以及多个钮扣状凸块，该载体具有表面及多个形成于该表面的凸块下金属层，所述钮扣状凸块形成于所述凸块下金属层上，各该钮扣状凸块具有承载部及连接该承载部的接合部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区，各该接合部覆盖各该承载面的该第一区，且各该承载部具有第一厚度，各该接合部具有第二厚度。借由上述技术方案，本技术半导体结构及其封装构造至少具有下列优点及有益效果由于所述钮扣状凸块具有所述承载部及些接合部，因此与基板结合时，基板上的焊料能够承载及限位于所述承载部上，防止焊料溢流至邻近钮扣状凸块而导致电性失效的情形。综上所述，本技术半导体结构包含一个载体以及多个钮扣状凸块，该载体具有多个凸块下金属层，所述钮扣状凸块形成于所述凸块下金属层上，各该钮扣状凸块具有承载部及连接该承载部的接合部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区，各该接合部覆盖各该承载面的该第一区。本技术在技术上有显着的进步，并具有明显的积极效果，诚为新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图I :依据本技术的第一较佳实施例，一种半导体工艺的流程图。图2A至图2H :依据本技术的第一较佳实施例，该半导体工艺的截面示意图。图3 :依据本技术的第二较佳实施例，另一种半导体结构的截面示意图。图4 :依据本技术的第三较佳实施例，另一种半导体结构的截面示意图。图5 :依据本技术的第一较佳实施例，一 种半导体封装结构的截面示意图。 10;提供一个栽体，该载体具有表面及形成于该表面的金属层 11;形成第一光刻胶层于该金属层 12;形成多个承载部 13:移除该第一光刻胶层以显露出所述承载部 14；形成第二光刻胶层于该金属层 15;形成多个接合部 16移除该第二光刻胶层 17:移除该金属层100; 半导体结构 HO; 载111: 表面 112;凸块下金属层112a:环壁 120:钮扣状凸块121:承载部 121’ 第一承载层121”第二承载层 12ia:承载面121b:第一区 121c:第二区122: 接合部130:镀金层200半导体封装结构 210: 基板211 连接元件 211a:外侧壁212: 焊料 213:金属环A 金属层 Al 衬底区A2 外侧区 BI 第一厚度H2 第二厚度 01: 第一开口02: 第二开口 Pl: 第一光刻胶层P2: 第二光刻胶层具体实施方式为更进一步阐述本技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术提出的半导体结构及其封装构造其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。请参阅图I及图2A至图2H，其本技术的较佳实施例，一种半导体工艺包含下列步骤首先，请参阅图I及图2A，提供一个载体110，该载体110具有表面111及形成于该表面111的金属层A，该金属层A具有多个衬底区Al及多个位于衬底区Al外侧的外侧区A2 ;接着，请参阅图I及图2B，形成第一光刻胶层Pl在该金属层A，该第一光刻胶层Pl具有多个第一开口 Ol ;之后，请参阅图I及图2C，形成多个本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体结构,其特征在于其至少包含：一个载体，其具有表面及多个形成于该表面的凸块下金属层；以及多个钮扣状凸块，其形成于所述凸块下金属层上，各该钮扣状凸块具有承载部及连接该承载部的接合部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区，各该接合部覆盖各该承载面的该第一区，且各该承载部具有第一厚度，各该接合部具有第二厚度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭志明，何荣华，林恭安，陈昇晖，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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