半导体封装结构制造技术

一种半导体封装结构，包括：芯片，所述芯片表面具有金属互连结构，位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层；位于所述金属互连结构上的柱状电极，所述柱状电极周围暴露出部分金属互连结构；位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面、柱状电极周围暴露出的金属互连结构表面的扩散阻挡层；位于所述扩散阻挡层表面的焊球，所述焊球至少包裹在所述柱状电极顶部和侧壁的表面。由于所述扩散阻挡层位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面和柱状电极周围的金属互连结构表面，使得柱状电极与所述焊球相隔离，不会形成锡铜界面合金化合物，且所述扩散阻挡层能提高柱状电极和金属互连结构表面的结合力，使得柱状电极不容易从金属互连结构表面脱离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装技术，特别涉及一种高可靠性的半导体封装结构。
技术介绍
在当前的半导体行业中，电子封装已经成为行业发展的一个重要方面。经过几十年封装技术的发展，传统的周边布线型封装方式和球栅阵列封装技术越来越无法满足当前高密度、小尺寸的封装要求，晶圆级芯片封装方式(Wafer-Level Chip Scale PackagingTechnology, WLCSP)技术已成为当前热门的封装方式。请参考图1，为现有晶圆级芯片封装方式的一种封装结构的剖面结构示意图，包括硅基片1，位于所述硅基片I表面的绝缘层2，所述绝缘层2具有开口，所述开口暴露出的硅基片I表面具有焊盘3 ;位于所述焊盘3、绝缘层2表面的再布线金属层4，所述再布线·金属层4用于将球栅阵列封装焊点的位置重新分布；位于所述再布线金属层4表面的铜柱·5，所述铜柱5通过再布线金属层4与焊盘3相连接；覆盖所述再布线金属层4、绝缘层2的由有机树脂组成的密封材料层6，且所述密封材料层6的顶部表面与所述铜柱5的顶部表面齐平，位于所述铜柱5的顶部表面的焊球7。更多关于晶圆级芯片封装方式的封装结构及形成工艺请参考公开号为US2001/本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片表面具有金属互连结构，位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层；位于所述金属互连结构上的柱状电极，所述柱状电极周围暴露出部分金属互连结构；位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面、柱状电极周围暴露出的金属互连结构表面的扩散阻挡层；位于所述扩散阻挡层表面的焊球，所述焊球至少包裹在所述柱状电极顶部和侧壁的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林仲珉，陶玉娟，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：