【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电功能材料领域,更具体地说是涉及一种使用粉浆浇注制备AZO(Al-doped in Zinc Oxide)革巴材的方法。
技术介绍
随着半导体、计算机、太阳能等领域的迅猛发展,透明导电氧化物(TCO)薄膜由于兼有良好的导电性和高透射率,可广泛应用于透明电极、液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、有机发光二极管(OLED)等高清晰平板显示器,太阳能电池和各种光电设备中。现在工业上应用最广泛的透明导电薄膜是ITO (Tin doped Indium Oxide)薄膜,但它具有价格昂贵,高温下透过率迅速降低,且在氢等离子体中容易被还原,应用到太阳能电池中使电池的效率降低等缺点;而ZnO价格低廉,原料丰富,在氢离子气氛中比ITO稳定,不仅能制成良好的半导体和压电薄膜,亦能通过掺杂制成良好的透明导电薄膜,在ZnO中掺入Ga、Al、In·或F离子能改善ZnO膜的光学和电学性能。其中,AZO (Al-doped in Zinc Oxide)薄膜的研究最广泛和最深入,目前已经在薄膜太阳能电池中得到了部分应用。AZO靶材溅射薄膜是目前公认为最有前景的薄膜材 ...
【技术保护点】
一种使用粉浆浇注制备AZO靶材的方法,其特征是:首先将AZO共沉淀粉体或者氧化锌和氧化铝的混合粉体与去离子水、分散剂、粘结剂进行球磨混合,注入模具内成型,干燥,脱脂,烧结后加工成所需尺寸的AZO靶材成品。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郑金凤,岳坤,白晓东,左婧懿,王东新,孙本双,杨国綮,赵世乾,张丽,李彬,钟景明,
申请(专利权)人:国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心,
类型:发明
国别省市:
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