用于电阻式存储器的高速感测制造技术

本发明专利技术的实施例使用一个或一个以上增益级以产生输出电压，所述输出电压表示数据单元的电阻式存储器元件是存储高数据值还是存储低数据值。在特定实施例中，一种设备包括感测电路。所述感测电路包括第一放大器级，所述第一放大器级经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压。第二放大器级经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及感测存储于电阻式存储器装置的単元中的数据值。
技术介绍
使计算系统执行操作所需要的时间常常为计算系统的处理器的速度及计算系统的存储器系统的速度的函数。为了跟上越来越快速的处理器，需要増加可从存储器检索指令及数据的速度。在电阻式存储器装置的单元(例如，磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元或自旋カ矩转移MRAM (STT MRAM)単元)中，读取存储于所述单元的电阻式存储器元件中的数据值涉及使“数据电流”传递通过电阻式存储器元件。将数据电流与“參考电流”进行比絞，“參考电流”表示传递通过经设定为高数据值的參考电阻式存储器元件与经设定为低数据值的參考电阻式存储器元件的电流的平均值。将数据电流与參考电流进行比较指示电阻式存储器元件是存储高数据值还是存储低数据值。读取所存储数据值涉及使用感测放大器以将数据电流与參考电流进行比较且以产生输出电压，输出电压指示所存储数据值是高数据值还是低数据值。在此系统中，分配使感测放大器通过产生达到指示所存储数据值的阈值的输出电压而对数据电流及參考电流作出响应的时间。随着存储器装置越来越小型化(且因此可越来越倾向于存储器装置的生产的エ艺变化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：哈里·M·拉奥，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：
国别省市：