灵敏放大器制造技术

本发明专利技术实施例提供灵敏放大器、包括该灵敏放大器的SRAM芯片以及对SRAM单元进行读出操作的方法。根据本发明专利技术实施例的灵敏放大器包括交叉耦合电路、尾电流晶体管和输出级。其中，所述尾电流晶体管的源极连接到负电平。采用根据本发明专利技术实施例的方案，可以加快灵敏放大器的速度，从而提高SRAM芯片的读出速度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路技术，更具体地说，涉及灵敏放大器。■
技术介绍
灵敏放大器(sense amplifier)是静态随机访问存储器(SRAM)的重要组成部分。图I是灵敏放大器用在SRAM中的典型配置。图I中的SRAM单元是SRAM芯片中存储逻辑值的基本单元。如图I所示，所述SRAM单元是典型的六晶体管配置，其通过两根位线BL和BLb进行数据写入和数据读出。预充电和均衡电路是SRAM单元的辅助电路。在读出阶段，SRAM单元在BL和BLb上输出一对互补的信号，即BL比BLb电势高，或者BL比BLb电势低，从而指示该SRAM单元中存储的逻辑值O或I。BL和BLb上的互补信号之间的电势差比较小，通常只有几十到一百毫伏(mV)，远 远小于一般数字电路中的逻辑高电平和逻辑低电平之间的电势差。因此SRAM单元本身的驱动能力有限，达不到驱动后级逻辑电路的要求。使用灵敏放大器对BL和BLb上输出的信号进行处理。灵敏放大器通常由多个SRAM单元复用，这些SRAM单元的输出，即图I中的BL和BLb，通过位线选择开关电路连接到灵敏放大器的输入，即图I中的DLT和DLC。灵敏放大器对输入的两个信号进行差分放大后输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种灵敏放大器，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、尾电流晶体管和输出级，其中，第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极分别连接到灵敏放大器的两路输入，第三晶体管的栅极、第一晶体管和第二晶体管的漏极在第二节点相连，第一晶体管的栅极、第三晶体管和第四晶体管的漏极在第一节点相连，第一晶体管和第三晶体管的源极连接到工作电平，第二晶体管和第四晶体管的源极连接到尾电流晶体管的漏极，尾电流晶体管的栅极连接到灵敏放大器使能信号，尾电流晶体管的源极连接到负电平，第一节点和第二节点分别连接到所述输出级。

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，包括 第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、尾电流晶体管和输出级， 其中，第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极分别连接到灵敏放大器的两路输入，第三晶体管的栅极、第一晶体管和第二晶体管的漏极在第二节点相连，第一晶体管的栅极、第三晶体管和第四晶体管的漏极在第一节点相连，第一晶体管和第三晶体管的源极连接到工作电平，第二晶体管和第四晶体管的源极连接到尾电流晶体管的漏极，尾电流晶体管的栅极连接到灵敏放大器使能信号，尾电流晶体管的源极连接到负电平，第一节点和第二节点分别连接到所述输出级。2.如权利要求I所述的灵敏放大器，其中所述负电平由负电压源提供。3.如权利要求I所述的灵敏放大器，其中所述负电平由自举电路的负电压输出节点提供。4.如权利要求3所述的灵敏放大器，其中所述自举电路进一步连接到用于对SRAM单元进行写入操作的写入驱动电路。5.如权利要求3或4所述的灵敏放大器，其中所述自举电路进一步包括箝位器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晴，陈翠丽，屠睿，胡晓莉，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：