一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器制造技术

本发明专利技术涉及一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器。所述用于大规模快闪存储器的灵敏放大器包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、PMOS管MP9、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8、NMOS管MN9和旁路电容C。本发明专利技术具有读出速度快，可靠性高的特点，尤其在高密度，大规模的快闪存储器系统中优势更为明显，有效改善了高密度大规模存储器预充速度慢，多单元读取感应速度慢等现状。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种灵敏放大器，尤其涉及一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器，属于微纳电子存储器

技术介绍
存储器大致可分为两大类挥发性存储器和非挥发性存储器。挥发性存储器在电源关闭时立即失去存储在内的信息；它需要持续的电源供应以维持数据，以SRAM、DRAM为代表。非挥发性存储器，它的主要特点是在不加电的情况下也能够长期保持存储的信息，目前使用的最多的为闪存(Flash)非挥发性存储器。随着多媒体应用、移动通信等对大容量、低功耗存储的需要，非挥发性存储器，特别是闪存(Flash)，所占半导体器件的市场份额变得越来越大，也越来越成为一种相当重要的存储器类型。 随着如今数据量不断地增大，闪存的容量也在急剧上升，大规模、高密度的闪存成了时下应用的主流媒介。而随着产生的问题就是读取速度不能满足应用要求，如何在功耗的允许下显著提高读取速度成了首要问题。页读取的提出极大改善了读出速度，但页读取数据量的大小受限于功耗，如何处理功耗的分配问题成了当务之急。同时，随着闪存密度的增大，存储阵列中金属线，存储单元之间的互相耦合问题变得非常显著，如何快速预充成了提高读取速度需要面对的首要问题。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器，其特征在于，包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、PMOS管MP9、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8、NMOS管MN9和旁路电容C；所述PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8和PMOS管MP9的衬底接电源电压；所述NMOS管MN1、NMO...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，张君宇，张满红，霍宗亮，谢常青，潘立阳，陈映平，刘阿鑫，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：