【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种应用于半导体静态随机存储器的高速低功耗自关断位线灵敏放大器。
技术介绍
存储器作为数据和指令的存储设备,在系统芯片中占有很重要的位置。存储器的速度主要取决于存储器的读取时间。存储器的读取时间主要是指从地址信号的输入到数据信号的输出所经历的时间,一般由地址输入缓冲器、译码器、存储单元、灵敏放大器和输出缓冲器的延迟共同决定。因此,要减小存储器的读取时间,一般有两种方法一是减小从地址信号输入到字线选通的延时,由于内部译码器等电路的形式相对固定,因此用这种方法减小的延时是比较有限的;另一种是减小从字线选通到数据输出所经历的延时,这可以通 过改进灵敏放大器的设计来实现。可见,高性能灵敏放大器的设计对于存储器性能的改进是至关重要的。灵敏放大器工作的目的是通过放大位线间微小的信号变化而读取存储单元中的数据。更具体的说,灵敏放大器在存储器中的作用主要体现在以下三个方面首先是放大作用,它将位线间微小的信号差放大为标准的逻辑电平“0”和“ I ” ;其次是减小位线的放电幅度,从而减小位线充放电的功耗。最后是通过放大位线间微小的信号差并输出完全逻辑电平,避免等待位线完全 ...
【技术保护点】
一种高速低功耗自关断位线灵敏放大器,其特征在于,包括预充电模块、平衡电路模块、使能电路模块、交叉耦合反相器模块、输入电路模块以及自关断位线模块,其中:预充电模块包括NMOS管N1及NMOS管N2,NMOS管N1与NMOS管N2的栅极互联并连接外部给定的预充信号PRE,?NMOS管N1及NMOS管N2的源极和衬底都接地GND;?平衡电路模块包括NMOS管N3,NMOS管?N3的栅极与NMOS管?N1的栅极以及NMOS?N2的栅极连接在一起,NMOS管N3的漏极与NMOS管?N1的漏极连接、NMOS?管N3的源极与NMOS管?N2的漏极连接,NMOS?管N3的衬底接地GND;使 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈军宁,柏娜,吴秀龙,谭守标,李正平,孟坚,徐太龙,蔺智挺,余群龄,
申请(专利权)人:安徽大学,
类型:实用新型
国别省市:
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