【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，更具体地说，涉及一种溅射靶材。
技术介绍
在半导体器件制造过程中，需要应用薄膜沉积技术，薄膜沉积技术主要有两个方向一为化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition),简称为CVD ;二为物理气相沉积 法(Physical Vapor D印osition)，简称PVD。其中PVD沉积技术包括蒸镀和溅镀，后者是在一个等离子的腔体中，等离子轰击靶材，释放出靶材原子，这些被撞击出来的靶材原子沉积在硅片表面，该过程称为溅射。在实际生产过程中，当一个靶材达到其自身的使用寿命时，对采用该靶材进行淀积的不同批次的薄膜的电阻均匀性进行检测后发现，采用同一个靶材淀积的所有硅片的薄膜中，薄膜的电阻均匀性很差。以半导体器件生产过程中的金属溅射过程为例，图I为在同一个靶材的使用寿命时间内，不同批次的薄膜的电阻均匀性的变化情况，横坐标为使用时间，纵坐标表示同一批次硅片中淀积的薄膜的电阻不均匀度的百分比，从图中可以看出，随着靶材使用时间的延长，同一批次硅片中的薄膜的电阻均匀性逐渐变差，即表示薄膜电阻不均匀度的百分比越来越大。从靶材使用的...
【技术保护点】
一种溅射靶材，其特征在于，包括靶材本体和设置在所述靶材本体上的凸起，所述凸起的表面凹凸不平，所述凸起的高度的变化规律与溅射粒子在靶材各区域的撞击频率的变化规律一致。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：闵炼锋，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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