【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米结构生长领域，是一种在无催化剂辅助下用真空热蒸发法生长SnS纳米片的方法。
技术介绍
SnS是一种IV-VI族半导体，其直接带隙宽为I. 2 I. 5eV，间接带隙宽为I. O I.leV，非常接近太阳能电池的最佳禁带宽度I. 5eV，光学吸收系数大于IO4CnT1,在理论上其能量转换效率可达25%。随着经济社会的发展，能源日益成为制约人类社会发展的瓶颈问题，开发新能源，保护地球环境迫在眉梢，因此，大力发展太阳能技术，提高太阳能电池的转换效率具有举足轻重的意义。SnS是一种无污染、无毒材料，在地球上Sn和S的含量都极为丰富，符合大量制备太阳能电池的要求。制备新颖的SnS纳米结构，提高光电转换效率具有 重要意义。目前，关于SnS纳米结构的制备方法有很多气-固反应法(gas-solidreaction)、电化学沉积法(electrochemical deposition)、溶盐溶剂法(molten saltsolvent method)、气相输运法(vapor transport method)、湿化学法(wet chemicalroute)、化学...
【技术保护点】
本专利技术公开了一种无催化剂辅助真空热蒸发制备SnS纳米片的方法，其特征在于通过以下工艺过程实现：按照1∶1的摩尔比将S粉与金属Sn屑，先后置于以钼片做的电阻加热舟中作为蒸发源，加热舟置于真空蒸发炉内，ITO衬底置于蒸发源上方0.9厘米至1.1厘米处，当蒸发炉内真空度达到1.8×10？2Pa～2.0×10？2Pa，加热电流为130A时，保持15分钟，在衬底上形成的灰黑色沉积物，即为SnS纳米片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李锦，王胜丰，简基康，孙言飞，吴荣，马燕，
申请(专利权)人：新疆大学，
类型：发明
国别省市：
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