用于在薄膜气相沉积装置中计量粒状源材料的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于在薄膜气相沉积装置中计量粒状源材料的装置。具体而言，一种计量机构被配置成用于将测定剂量的粒状材料从第一位置移送到第二位置，并且特别适合于在气相沉积装置中计量源材料。接收器布置成从第一位置接收粒状材料。排出端口从该接收器的出口轴向地偏移。由可控驱动装置使具有贯通其限定的通路的往复式递送部件在该通路与接收器出口对准的负载位置和该通路与排出端口对准的排出位置之间沿往复路径移动。从第一位置移送到第二位置的粒状材料的量是通路的体积和递送部件的往复速率的函数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及薄膜沉积系统的领域，在该薄膜沉积系统中，诸如半导体层的薄膜层沉积在被传送通过该系统的基底上。更特定而言，本专利技术涉及供给系统中的计量装置，该供给系统配置成将粒状源材料自动地导入气相沉积装置中而不中断真空过程。
技术介绍
基于与硫化镉(CdS)配对的碲化镉(CdTe)作为光反应成分的薄膜光伏(PV)模块(也称为“太阳电池板”)在工业中正获得广泛的认可和兴趣。CdTe是具有特别适合用于将日光(太阳能)转化为电的性能的半导体材料。使用CdTe PV模块的太阳能系统在每瓦产生的功率的成本方面通常被认为是最具成本效益的市场可得到的系统。然而，CdTe的优点经不起考验，可持续的商业开发和接受太阳能作为工业或居民用电的补充来源或主要来源取决于以较大规模并以具成本效益的方式生产高效PV模块的能力。·某些因素在模块的成本和发电能力方面极大地影响CdTe PV模块的效益。例如，CdTe是相对昂贵的，并且因此该材料的高效利用(即最低浪费)是主要成本因素。此外，以经济上合理的商业规模加工相对较大的基底的能力是至关重要的考虑因素。在真空下将粒状CdTe材料供给到经加热的气相沉积头中的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种计量机构(200)，配置成用于将测定剂量的粒状材料从第一位置移送到第二位置，所述计量机构(200)包括：？？？？？？接收器(208)，其布置成从所述第一位置接收粒状材料，所述接收器具有出口(212)；？？？？？？排出端口(214)，其从所述接收器出口轴向地偏移；？？？？？？往复式递送部件(216)，其具有贯通其限定的通路；以及？？？？？？可控驱动装置(222)，其配置成使所述递送部件在负载位置和排出位置之间沿往复路径移动，在所述负载位置，所述通路与所述接收器出口对准，在所述排出位置，所述通路与所述排出端口对准；？？？？？？其中，从所述第一位置移送到所述第二位置的粒状材料的量是所述通路的体积...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：EJ利特尔，
申请(专利权)人：初星太阳能公司，
类型：发明
国别省市：