一种共沉淀法制备钇钆铕纳米粉体的方法技术

技术编号:829531 阅读:230 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种共沉淀法制备钇钆铕纳米粉体的方法,涉及一种化工原料的制备方法,该方法包括如下步骤:1)按(Y↓[1-x]Gd↓[0.3]Eu↓[x])↓[2]O↓[3]组分称取稀土氧化物Y↓[2]O↓[3]、Gd↓[2]O↓[3]、Eu↓[2]O↓[3],并将其溶于浓盐酸中,加入蒸馏水,配置成稀土溶液;将沉淀剂氨水稀氨水;2)将上述的沉淀剂氨水滴加到配置好的稀土溶液中,得到的先驱沉淀物经时效后,清洗,抽滤,干燥,再经过筛得前驱体粉末;3)将上述制得的前驱体粉末煅烧,球磨后即可制得粉体样品。本发明专利技术采用湿化学共沉淀法制备粉体,获得的(Y,Gd)↓[2]O↓[3]∶Eu↑[3+]粉体分散性好,一次粒径平均为20nm,而且制备工艺简单,周期短,成本低,适于批量生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化工原料的制备方法,特别是涉及一种核医学成像技术、x射线探测器、无损检测核心材料闪烁陶瓷所需关键粉体材料的制备方法。技术背景在核医学成像技术中,闪烁体是重要的光功能材料,主要包括无 机闪烁晶体和闪烁陶瓷。无机闪烁陶瓷的制备需要具有良好特性的纳 米粉体,对降低烧结温度、实现晶粒均匀化起到重要作用。在粉体制 备过程中容易均匀掺杂,工艺简单,成本低廉及良好机械加工性等优点,己成为X-CT用闪烁探测材料的首选对象。(Y,Gd)203:Eu3+由基质材料Y203、 Gd203和发光的激活离子Eu3+ 组成,属立方晶体结构,光学各向同性,具有高密度(5.92g/cm3), 短衰减时间(<10—3s),短余辉(<0.01%)等优点,是一种高效率的X 射线发光材料。近年来(Y,Gd)203:Ei^+粉体经特殊烧结工艺制备的透 明陶瓷与光电倍增管组成光电转换器件已应用在核医学成像领域,但 其制备优良特性的粉体,降低制备成本、实现简单工艺一直是新材料 研究领域需要解决的问题。目前国内外制备氧化钇及氧化钇基粉体主要有燃烧法,微乳液 法、化学气相沉积法等。上述粉体合成方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共沉淀法制备钇钆铕纳米粉体的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:    1)溶液的配置:按(Y↓[1-x]Gd↓[0.3]Eu↓[x])↓[2]O↓[3]组分称取稀土氧化物Y↓[2]O↓[3]、Gd↓[2]O↓[3]、Eu↓[2]O↓[3],并将其溶于浓盐酸中,加入蒸馏水,配置成浓度为0.01~1mol/L的稀土溶液;将沉淀剂氨水配置成浓度为0.1~6mol/L的稀氨水;    2)前驱体的制备:将上述的沉淀剂氨水滴加到配置好的稀土溶液中,得到的先驱沉淀物经时效0~4h后,用蒸馏水和无水乙醇清洗,抽滤,再把先驱沉淀物置于干燥箱中干燥,干燥温度为70~130℃,干燥时间为8~24h,再经过...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:马伟民郭易芬闻雷沈世妃刘晶尹凯王华栋
申请(专利权)人:沈阳化工学院
类型:发明
国别省市:89[中国|沈阳]

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