内外喷气式低压化学气相沉淀腔制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别涉及晶圆的化学气相沉淀腔。
技术介绍
低压化学气相沉淀是指将沉淀腔中抽成低压状态，将反应气体置入沉淀腔中，反应气体扩散至沉淀腔中的晶圆表面，在晶圆表面附近的反应区发生反应形成薄膜。现有的低压化学沉淀腔的结构设计不合理，反应气体不能均匀的扩散至晶圆表面，导致形成的薄膜厚度不均匀。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题，申请人进行研究及改进，提供一种内外喷气式低压化学气相沉淀腔。为了解决上述问题，本专利技术采用如下方案：一种内外喷气式低压化学气相沉淀腔，包括腔体，所述腔体中内置有导气结构及用于支撑晶圆的支撑结构，所述导气结构为一环形腔套，所述环形腔套的内壁安装有多根径向设置的外导气管，所述支撑结构包括一支撑管，所述支撑管轴向设置于所述环形腔套中，所述支撑管的周壁上借助卡夹夹持晶圆，支撑管中轴承设有内导气管，所述内导气管与所述支撑管之间设有多根导管，所述导管的出气端置于相邻的卡夹之间。本专利技术的技术效果在于：本专利技术采用环状形的导气结构及置于该导气结构中的支撑管，支撑管采用放射方式固定晶圆，大大降低晶圆的支撑体积，减小整个沉淀腔的体积，并采用内外导气结构，提高反应气体与晶圆的接触均匀度。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。图中：1、腔体；2、支撑结构；3、导气结构；4、外导气管；5、卡夹；6、晶圆；7、内导气管；8、导管。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步说明。如图1所示，本实施例的内外喷气式低压化学气相沉淀腔，包括腔体1，腔体1中内置有导气结构3及用于支撑晶圆的支撑结构2，导气结构3为一环形腔套...
【技术保护点】
一种内外喷气式低压化学气相沉淀腔，包括腔体(1)，所述腔体(1)中内置有导气结构(3)及用于支撑晶圆的支撑结构(2)，其特征在于：所述导气结构(3)为一环形腔套，所述环形腔套的内壁安装有多根径向设置的外导气管(4)，所述支撑结构(2)包括一支撑管，所述支撑管轴向设置于所述环形腔套中，所述支撑管的周壁上借助卡夹(5)夹持晶圆(6)，支撑管中轴承设有内导气管(7)，所述内导气管(7)与所述支撑管之间设有多根导管(8)，所述导管(8)的出气端置于相邻的卡夹(5)之间。
【技术特征摘要】
1.一种内外喷气式低压化学气相沉淀腔，包括腔体(1)，所述腔体(1)中内置有导气结构(3)及用于支撑晶圆的支撑结构(2)，其特征在于：所述导气结构(3)为一环形腔套，所述环形腔套的内壁安装有多根径向设置的外导气管(4)，所述支撑结构(...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕耀安，
申请(专利权)人：无锡宏纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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