【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
,特别涉及晶圆的化学气相沉淀腔。
技术介绍
低压化学气相沉淀是指将沉淀腔中抽成低压状态,将反应气体置入沉淀腔中,反应气体扩散至沉淀腔中的晶圆表面,在晶圆表面附近的反应区发生反应形成薄膜。现有的低压化学沉淀腔的结构设计不合理,反应气体不能均匀的扩散至晶圆表面,导致形成的薄膜厚度不均匀。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题,申请人进行研究及改进,提供一种内外喷气式低压化学气相沉淀腔。为了解决上述问题,本专利技术采用如下方案:一种内外喷气式低压化学气相沉淀腔,包括腔体,所述腔体中内置有导气结构及用于支撑晶圆的支撑结构,所述导气结构为一环形腔套,所述环形腔套的内壁安装有多根径向设置的外导气管,所述支撑结构包括一支撑管,所述支撑管轴向设置于所述环形腔套中,所述支撑管的周壁上借助卡夹夹持晶圆,支撑管中轴承设有内导气管,所述内导气管与所述支撑管之间设有多根导管,所述导管的出气端置于相邻的卡夹之间。本专利技术的技术效果在于:本专利技术采用环状形的导气结构及置于该导气结构中的支撑管,支撑管采用放射方式固定晶圆,大大降低晶圆的支撑体积,减小整个沉淀腔的 ...
【技术保护点】
一种内外喷气式低压化学气相沉淀腔,包括腔体(1),所述腔体(1)中内置有导气结构(3)及用于支撑晶圆的支撑结构(2),其特征在于:所述导气结构(3)为一环形腔套,所述环形腔套的内壁安装有多根径向设置的外导气管(4),所述支撑结构(2)包括一支撑管,所述支撑管轴向设置于所述环形腔套中,所述支撑管的周壁上借助卡夹(5)夹持晶圆(6),支撑管中轴承设有内导气管(7),所述内导气管(7)与所述支撑管之间设有多根导管(8),所述导管(8)的出气端置于相邻的卡夹(5)之间。
【技术特征摘要】
1.一种内外喷气式低压化学气相沉淀腔,包括腔体(1),所述腔体(1)中内置有导气结构(3)及用于支撑晶圆的支撑结构(2),其特征在于:所述导气结构(3)为一环形腔套,所述环形腔套的内壁安装有多根径向设置的外导气管(4),所述支撑结构(...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕耀安,
申请(专利权)人:无锡宏纳科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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