新型化合物及其利用制造技术

技术编号:8274803 阅读:225 留言:0更新日期:2013-01-31 08:11
本发明专利技术的目的在于,提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法,所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有三个以上缩水甘油醚基的化合物中的缩水甘油醚基的环氧基反应而得的叔胺化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新型化合物及其用途,更详细而言,涉及作为新型化合物的叔胺化合物和将它们季铵化而得的季铵化合物,以及利用这些新型化合物的、能够以高可靠性对硅晶片等半导体基板或印刷基板等具有精细电路图案或盲孔、穿孔等微孔的基板进行镀铜的铜镀浴,以及使用所述铜镀浴的镀铜方法等。
技术介绍
近年来,作为便携终端机器、个人电脑、录像机、游戏机等电子机器的电路安装方法,以叠加(build-up)方法为代表的基板层叠方法逐渐得到广泛应用。在该叠加方法中,于层叠板上设置穿孔或通孔,通过在该微孔内析出的金属,进行各电路层间的连接,从而使 得电路的多层化成为可能。在该微孔中,金属在盲孔内的析出通过保形通孔镀敷或填孔镀敷进行。可是,就在通孔的内侧壁面和底面形成金属被摸的通孔镀敷而言,难以在孔穴上进一步堆积导体层,另外在连接电路层间时,为保障充分的通电,需要使金属被摸的析出区域增大。另一方面,若使用在通孔内填充金属的填孔方法,则孔穴完全填充,而且若进行了填充之后的通孔部分表面平坦,则在孔穴上仍可形成通孔,所以对缩小尺寸非常有利。因此,作为代替绝缘体(绝缘层)的平坦化存在极限的保形通孔镀敷的技术,逐渐多采用填本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:安田弘树君塚亮一高须辰治佐藤琢朗石塚博士小合康裕尾山祐斗外冈优小坂美纪子下村彩清水由美子
申请(专利权)人:株式会社杰希优
类型:
国别省市:

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