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文档序号:8274803

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本发明的目的在于,提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法,所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有三个以上...
该专利属于株式会社杰希优所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社杰希优授权不得商用。

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