半导体发光装置及其封装结构制造方法及图纸

本发明专利技术披露一种半导体发光装置及其封装结构。该半导体发光装置具有一半导体发光元件、一透明胶材以及一波长转换结构。半导体发光元件所发的原色光经过波长转换结构激发出与原色光波长相异的变色光。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光装置及其封装结构，尤其关于一种具有波长转换结构及一透明胶材的半导体发光装置及其封装结构。
技术介绍
发光二极管(Light-emitting Diode ;LED)为一种半导体固态元件，至少包含一p-n结(p-n junction),此p-n结形成于P型与η型半导体层之间。当在ρ_η结上施加一定程度的偏压时，P型半导体层中的空穴与η型半导体层中的电子将会结合而释放出光。此光产生的区域一般又称为有源区(activeregion)。··LED的主要特征在于尺寸小、发光效率高、寿命长、反应快速、可靠度高和色度良好，目前已经广泛使用在电器、汽车、招牌和交通号志上。随着全彩LED的问世，LED已逐渐取代如荧光灯和白热灯泡等传统照明设备。—般是以LED裸芯搭配波长转换材料(如突光粉)来产生白光，波长转换材料在被LED裸芯所发出的蓝光照射后会激发黄光、绿光或红光，将蓝光和黄光、绿光或红光混合之后即可产生白光。为了确使LED裸芯所发出的光可以通过波长转换材料并于混合后产生所需的光，波长转换材料必须完全地覆盖在LED裸芯可能出光之处。然而光所射出的方向没有特定方向，若波长转换材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，包含：一半导体发光叠层；一透明胶材，仅位于该半导体发光叠层的一侧；一波长转换结构，位于该透明胶材之中或其上；及一反射壁，位于该透明胶材的侧边。

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光装置，包含 一半导体发光叠层； 一透明胶材，仅位于该半导体发光叠层的一侧； 一波长转换结构，位于该透明胶材之中或其上 '及 一反射壁，位于该透明胶材的侧边。2.—种半导体发光装置，包含 一半导体发光叠层； 一透明胶材，仅位于该半导体发光叠层的一侧； 至少一种波长转换材料，分散于该透明胶材之中 '及 一反射壁，位于该透明胶材的侧边。3.一种半导体发光装置，包含 一半导体发光叠层； 一波长转换结构，位于该半导体发光叠层之上 '及 一反射壁，位于该波长转换结构的侧边。4.如权利要求I或2所述的半导体发光装置，其中该透明胶材的面积不大于该半导体发光叠层的面积。5.如权利要求I或2所述的半导体发光装置，其中该透明胶材的厚度至少为O.3mm。6.如权利要求I或3...

【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉良，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：