【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体元件，特别是半导体元件的电连接结构及其制造方法。
技术介绍
1、在半导体制作工艺中，位于不同水平高度的导线层通常通过填充在介电层中孔洞内的导电材料连接。然而，要在这些不同深度的孔洞内完整填充导电材料并形成平整的表面，通常需要经过多道步骤才能完成，且过程复杂且成本昂贵。
2、另外，在半导体芯片的封装结构中，通常会利用导电凸块与外部电路产生电连接，而现有导电凸块的制造方式往往无法精确地控制导电凸块的高度，导致半导体芯片的多个导电凸块的顶点无法共平面，进而影响半导体芯片的生产良率。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的实施例提供可以精确地控制半导体元件的电连接结构尺寸的方法，例如，可以精确地控制半导体元件中数个导电凸块的高度，以及提供以此制作工艺所制造的半导体元件。
2、根据本专利技术的一实施例，提供一种半导体元件，包括基底、第一电极、第二电极、第一导电凸块、及第二导电凸块。第一电极和第二电极设置于基底上，第一导电凸块设置于第一电极上，第二导电凸块...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，还包含介电层，设置于该基底上，围绕该第一电极的侧面和该第二电极的侧面。
3.如权利要求1所述的半导体元件，还包括第一金属膜位于该第一导电凸块的一侧以及第二金属膜位于该第二导电凸块的一侧，在俯视图中，该第一导电凸块具有第一外轮廓，该第一金属膜具有第二外轮廓，该第一外轮廓位于该第二外轮廓内部且近似。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一导电凸块的高度小于或等于该第一电极的投影面积数值乘以0.05。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一导电凸块的高度...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，还包含介电层，设置于该基底上，围绕该第一电极的侧面和该第二电极的侧面。
3.如权利要求1所述的半导体元件，还包括第一金属膜位于该第一导电凸块的一侧以及第二金属膜位于该第二导电凸块的一侧，在俯视图中，该第一导电凸块具有第一外轮廓，该第一金属膜具有第二外轮廓，该第一外轮廓位于该第二外轮廓内部且近似。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一导电凸块的高度小于或等于该第一电极的投影面积数值乘以0.05。
5.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢明勋，廖世安，简振伟，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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