本发明专利技术的目的在于公开一种铈基混合稀土抛光材料及其制备方法，它包含以下重量百分比的以下组分：铈基稀土抛光粉83-99%，粘土1-15%，聚羧酸化合物0.1-0.5%；与现有技术相比，能抑制抛光粉的团聚趋势，有效提高抛光粉使用过程中的悬浮分散性能，降低抛光粉比重，具有抛光粉悬浮性高，通用性强，抛光后易清洗和抛光效率高等优点，实现本发明专利技术的目的。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种稀土抛光材料及其制备方法，特别涉及一种适用于平面显示和光学玻璃等电子信息产业精密器件表面抛光的。
技术介绍
目前，各种玻璃材料被广泛使用，而这些材料被应用前都需经过必要的表面抛光。早期主要使用氧化锆、氧化铁或二氧化硅等材料对各种玻璃表面进行抛光，近年来，从抛光效率及精度方面来考虑，稀土氧化物(特别是氧化铈)为主要成分的抛光材料被认为更适合于玻璃材料的表面抛光。随着电子信息技术的迅猛发展，透镜、平板玻璃、液晶显示器(IXD)、眼镜、光学元件及陶瓷材料等玻璃基材的需求大大增加，对于抛光材料的精度和抛光速率也提出了更高 的要求，这就促使生产厂家不断提高产品档次，以适应新技术新产品的要求，稀土抛光粉已成为当今适用范围广、用量大、技术含量高的稀土应用产品。但稀土抛光粉的比重比较大，在使用过程中容易沉淀，一方面沉淀后不易循环使用，导致了抛光粉在使用过程中相对抛光粒子的减少，降低了抛光效率；另一方面，抛光粉沉淀在机台上，导致了抛光粉的用量的增加。因此，改善抛光粉的悬浮性是十分必要的。目前为了改善稀土抛光粉的悬浮性，一方面，通过焙烧温度控制抛光粉的堆比重。假定抛光材料的粒径基本相同，那么焙烧温度越高，沉淀物的堆比重越大；焙烧温度越低，沉淀物的堆比重越小。无论是焙烧温度过高，或者太低，都将影响抛光粉的抛光效率，甚至会引起制品的划伤。另一方面，通过在抛光粉中添加分散剂，提高抛光粉在使用过程中的悬浮行。中国专利公开号CN101671525A的专利技术专利公开了一种改善稀土抛光粉悬浮性的方法，是在抛光粉中加入分散助剂，其中助剂选自亚甲基荼磺酸纳或乙基茶磺酸纳的一种或它们的组合物。中国专利公开号CN101993662A的专利技术专利公开了一种铈基抛光粉悬浮液的制备方法，该方法是在铈基抛光粉中加入十二烷基苯磺酸钠和十六烷基辛基苯基醚。中国专利公告号CN1289626C的专利技术专利公告了一种铈基抛光料和铈基抛光浆液，该专利提出，当以10% (质量)的量分散在水中时，该抛光材料的堆比重为O. 8g/ml至I.Og/ml。该抛光材料中加入表面活性剂，其中表面活性剂选自阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂中的至少一种。由以上可以看出，目前抛光粉的悬浮性的改善主要是通过添加表面活性剂进行处理。但表面活性剂在使用过程中容易起泡，不利于使用。同时表面活性剂对抛光粉悬浮性的改性主要体现在小颗粒粒子的悬浮性的提高，导致了表观的悬浮性改善，却有者浓度梯度，对抛光粉的悬浮性的改善不好。因此，特别需要一种，已解决上述现有存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，针对现有技术的不足，能抑制抛光粉的团聚趋势，有效提高抛光粉使用过程中的悬浮分散性能，降低抛光粉比重，具有抛光粉悬浮性高、通用性强、抛光后易清洗和抛光效率高等优点。本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现一方面，本专利技术提供一种铈基混合稀土抛光材料，其特征在于，它包含以下重量百分比的以下组分铈基稀土抛光粉83-99%，粘土 1_15%，聚羧酸化合物O. 1-0. 5%。在本专利技术的一个实施例中，所述铈基稀土抛光粉的中位径D50为O. 5-3. O μ m，其中稀土总量(REO)为 90-100%，铈含量(Ce02/RE0)为 60_100%。在本专利技术的一个实施例中，所述粘土选自高岭土或者蒙脱石中的一种或几种的组 八口 ο在本专利技术的一个实施例中，所述聚羧酸化合物选自聚丙烯酸或者聚丙烯酸钠中的一种或几种的组合。另一方面，本专利技术提供一种稀土抛光材料的制备方法，其特征在于，它包括如下步骤将铈基稀土抛光粉、粘土和聚羧酸化合物按照比例进行干法球磨制备而得。在本专利技术的一个实施例中，所述干法球磨是采用球磨机进行球磨。进一步，所述干法球磨的球磨时间为O. 5_2h。本专利技术的铈基混合稀土抛光材料的制备方法，与现有技术相比，能抑制抛光粉的团聚趋势，有效提高抛光粉使用过程中的悬浮分散性能，降低抛光粉比重，具有抛光粉悬浮性高，通用性强，抛光后易清洗和抛光效率高等优点，实现本专利技术的目的。本专利技术的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。附图说明图I为本专利技术的实施例I和对比例I选择的铈基稀土抛光粉的粒度分布图。具体实施例方式为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本专利技术。本专利技术的铈基混合稀土抛光材料，它包含以下重量百分比的以下组分铈基稀土抛光粉83-99%，粘土 1_15%，聚羧酸化合物O. 1-0. 5%。在本专利技术中，所述铈基稀土抛光粉的中位径D50为O. 5-3. O μ m，其中稀土总量(REO)为 90-100%，铈含量(Ce02/RE0)为 60-100%。在本专利技术中，所述粘土选自高岭土或者蒙脱石中的一种或几种的组合。在本专利技术中，所述聚羧酸化合物选自聚丙烯酸或者聚丙烯酸钠中的一种或几种的组合。本专利技术的稀土抛光材料的制备方法，它包括如下步骤将铈基稀土抛光粉、粘土和聚羧酸化合物按照比例进行干法球磨制备而得。在本专利技术中，所述干法球磨是采用球磨机进行球磨；所述干法球磨的球磨时间为O. 5~2h0所述干法球磨目的是使铈基稀土抛光粉、粘土和聚羧酸化合物等各组分充分混八口 ο实施例I将铈基稀土抛光粉、粘土和聚羧酸化合物按照比例进行使用TOSHIBA E658157球磨机干法球磨而得。表I给出了本专利技术的铈基混合稀土抛光材料的各成分及含量。权利要求1.一种铈基混合稀土抛光材料，其特征在于，它包含以下重量百分比的以下组分铈基稀土抛光粉83-99%，粘土 1_15%，聚羧酸化合物O. 1-0. 5%。2.如权利要求I所述的铈基混合稀土抛光材料，其特征在于，所述铈基稀土抛光粉的中位径 D50 为 O. 5-3. O μ m，其中稀土总量(REO)为 90_100%，铈含量(Ce02/RE0)为 60_100%。3.如权利要求I所述的铈基混合稀土抛光材料，其特征在于，所述粘土选自高岭土或者蒙脱石中的一种或几种的组合。4.如权利要求I所述的铈基混合稀土抛光材料，其特征在于，所述聚羧酸化合物选自聚丙烯酸或者聚丙烯酸钠中的一种或几种的组合。5.一种稀土抛光材料的制备方法，其特征在于，它包括如下步骤将铈基稀土抛光粉、粘土和聚羧酸化合物按照比例进行干法球磨制备而得。6.如权利要求5所述的铈基混合稀土抛光材料的制备方法，其特征在于，所述干法球磨是采用球磨机进行球磨。7.如权利要求6所述的铈基混合稀土抛光材料的制备方法，其特征在于，所述干法球磨的球磨时间为O. 5-2h。全文摘要本专利技术的目的在于公开一种，它包含以下重量百分比的以下组分铈基稀土抛光粉83-99%，粘土1-15%，聚羧酸化合物0.1-0.5%；与现有技术相比，能抑制抛光粉的团聚趋势，有效提高抛光粉使用过程中的悬浮分散性能，降低抛光粉比重，具有抛光粉悬浮性高，通用性强，抛光后易清洗和抛光效率高等优点，实现本专利技术的目的。文档编号C09G1/02GK102898953SQ20121042939公开日2013年1月30日 申请日期2012年10月31日 优先权日2012年10月31日专利技术者郝祥, 赵月昌, 李雪云, 李冉, 贾长征, 赵秀娟 申请人:上海华明高纳稀土新材料有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种铈基混合稀土抛光材料，其特征在于，它包含以下重量百分比的以下组分：铈基稀土抛光粉83？99%，粘土1？15%，聚羧酸化合物0.1？0.5%。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郝祥，赵月昌，李雪云，李冉，贾长征，赵秀娟，
申请(专利权)人：上海华明高纳稀土新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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