用于半导体晶片的抛光药液组合物、抛光药液及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种用于半导体晶片抛光药液的组合物，包括次氯酸锂、碳酸氢盐和硅溶胶。本发明专利技术还涉及了一种包括所述组合物的抛光药液以及制备方法。本发明专利技术提供的抛光药液可以针对（111）特殊角度的半导体晶片，以达到光滑均匀，没有腐蚀坑、孔洞等缺陷的优异晶片表面。本发明专利技术提供的抛光药液可作为通用性抛光药液，而且原料价廉易得、降低了药液成本，具有广阔的市场应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料领域，具体涉及一种用于半导体晶片的抛光药液组合物、抛光药液以及所述抛光药液的制备方法。
技术介绍
砷化镓(GaAs)、Si和磷化铟(InP)晶片均为常用的半导体材料，尤其是近年来，砷化镓晶片的发展非常迅速。砷化镓晶片以其优良的性能，逐渐替代Si晶片，成为半导体行业理想的材料。砷化镓晶片的加工方法为首先用金属锯或线锯将砷化镓晶绽切成片，再通过研磨、机械化学抛光等工序完成加工过程。砷化镓晶片通常的切割面为(100)面，即通常的晶片表面为(100 )面，但在某些特殊的制造工艺中，需要使用特殊角度的砷化镓材料，例如晶体表面为(111)面、(211)面等特殊角度的砷化镓材料，如图5a和5b所示。 目前，对于(111)这样特殊角度的砷化镓晶片，砷化镓晶体各向异性的特点决定了晶体各个方向的物理和化学性能都不一样，因此腐蚀速度也不一样。而现有抛光药液对于(111)角度方向的腐蚀强度和速度与其它方向的差别很大，所以现有的抛光药液很难将晶片抛成镜面，即使抛成镜面，也会在晶片表面形成腐蚀坑和孔洞等缺陷，结果造成在抛光(111)为主面的晶片时，出现腐蚀不均匀的现象，从而影响晶片表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体晶片抛光药液的组合物，其特征在于，按照重量份包括以下组分：次氯酸锂：？？？？5～40份；碳酸氢盐：？？？？1～20份；硅溶胶：？？？？？？50～90份。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建志，吴怀东，刘文森，赵波，刘征，
申请(专利权)人：北京通美晶体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：