一种砷化镓晶片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种砷化镓晶片，所述晶片表面的硫含量低于2×10

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓晶片及其制备方法
本专利技术涉及一种砷化镓晶片及其制备方法，尤其是一种表面低硫含量的砷化镓晶片及其制备方法。
技术介绍
砷化镓晶片作为一种基本的半导体材料，应用广泛，其制造商也不断地从各个方面对其作改进，以满足乃至引领不同的应用。砷化镓晶片的一种应用是用作制造垂直腔面发射激光器(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，VCSEL)的衬底。VCSEL激光器是一种先进的激光器，是3D识别系统、人工智能等系统的关键元器件。由于VCSEL激光器结构特殊，砷化镓衬底的质量对VCSEL激光器的性能有很大影响。目前常规的砷化镓晶片的表面加工处理过程中主要以SC-1溶液(氨水、过氧化氢和去离子水的混合液)为主来达到清洁表面的目的。这种清洗溶液对于去除表面颗粒和金属离子等非常有效。
技术实现思路
本专利技术的专利技术人出人意料地发现，通过砷化镓晶片表面的特殊处理，可以实现控制砷化镓晶片表面乃至外延层中硫含量的效果。因此，本专利技术的目的是提供一种砷化镓晶片，所述砷化镓晶片表面硫含本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种砷化镓晶片，其特征在于，所述砷化镓晶片表面硫含量低于2×10

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓晶片，其特征在于，所述砷化镓晶片表面硫含量低于2×1015原子/cm3，优选低于5×1014原子/cm3，所述砷化镓晶片表面的硫含量通过以下方法测定：
将砷化镓晶片用于外延生长的一面作为衬底，直接用于外延生长，外延设备采用德国AIXTRON公司AIX2800G4的商用金属有机气相沉积MOCVD设备，镓源为TMGa，砷源为AsH3，硅掺杂剂为SiH4，碳掺杂剂为CCl4，外延生长温度为650℃，按照如下所示的组成和厚度依次生长总厚度为3.25微米的外延层：
a.层结构：GaAs缓冲层；掺杂元素：Si；掺杂剂量(原子/cm3)：
1.20×1018；厚度：2000nm；
b.层结构:GaAs非掺层；厚度：250nm；
c.层结构：GaAs掺碳层；掺杂元素：C(CCl4)；掺杂剂量(原子/cm3)：
2.00×1018；厚度：1000nm；
然后使用购自法国Cameca公司的ims-6f型二次离子质谱仪检测所述砷化镓晶片经外延生长后层中的硫含量的分布情况，以外延层中单位体积的硫含量作为砷化镓晶片表面的硫含量。


2.制备如权利要求1所述晶片的方法，包括以下步骤：
1)抛光前使用酸或碱溶液对晶片表面进行浸泡清洗；
2)对晶片进行化学机械抛光；
3)抛光后，使用氧化剂对晶片表面进行氧化；
4)对晶片经过碱溶液处理，随后用去离子水清洗；
5)对晶片经过SC-1溶液处理，随后用去离子水清洗；
6)干燥所得晶片；
7)再次使用氧化剂对晶片表面进行处理；...

【专利技术属性】
技术研发人员：任殿胜，朱颂义，赵波，王建利，刘岩，崔杨洲，张春宇，
申请(专利权)人：北京通美晶体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11