一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种化学机械抛光液，其含有水、比表面积(用BET比表面积测试法测得)范围为120～300m2/g的研磨剂、质量百分比为0.1～0.2％的能产生银离子的化合物、质量百分比为0.1～0.3％能产生硫酸根离子的化合物和过氧化物。本发明专利技术的抛光液在保证非常高的钨的抛光速度的同时，通过优化研磨剂的比表面积的范围，银离子的质量百分比和硫酸根离子的质量百分比，从而显著降低抛光液在硅片表面的残留颗粒和降低抛光液的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种化学机械抛光液，尤其涉及一种用于抛光钨材料的化学机械抛光液。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，以及大規模集成电路互连层的不断増加，导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键，其中，由IBM公司在二十世纪80年代首创的化学机械抛光(CMP)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。化学机械抛光(CMP)是ー种由化学作用、机械作用以及这两种作用相结合而实现平坦化的技木；它通常由ー个带有 抛光垫的研磨台，及一个用于承载芯片的研磨头组成。其中研磨头固定住芯片，然后将芯片的正面压在抛光垫上，当进行化学机械抛光吋，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台一祥的运动方向旋转；与此同时，含有研磨剂的浆液被滴到抛光垫上，并因离心作用平铺在抛光垫上。芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。对金属层化学机械抛光(CMP)的主要机制被认为是氧化剂先将金属表面氧化成膜，以ニ氧化硅和氧化铝为代表的研磨剂将该层氧化膜机械去除，产生新的金属表面；产生的新的金属表面继续被氧化，这两种作用协同进行。作为化学机械抛光(CMP)对象之一的金属钨，在高电流密度下，抗电子迁移能力强，并且能够与硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光液，包含：水、比表面积范围为120～300m2/g的研磨剂、质量百分比为0.1～0.2％的能产生银离子的化合物、质量百分比为0.1～0.3％能产生硫酸根离子的化合物和过氧化物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何华锋，王晨，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：