【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液
本专利技术涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
作为集成电路制造工艺中的一环,芯片封装技术也随着摩尔定律(Moore’ s law)的发展而不断改进。其中,三维封装(3D-packaging)技术自上世纪末以来发展迅速,并且已被应用于如数据储存器、感光数码芯片等的产业化生产工艺之中。三维封装具有尺寸小、硅片使用效率高、信号延迟短等特点,并且使得一些在传统二维封装中无法实现的特殊电路设计成为可能。化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)是三维封装中的一道必不可少的环节。通过刻蚀、沉积及化学机械抛光等工序在芯片的背面制造出的硅通孔(Through-silicon Via, TSV)是在芯片之间实现三维堆叠(3D_stacking)的关键。娃通孔的尺寸与芯片中的晶体管尺寸有着数量级的差别——例如目前主流集成电路中的晶体管尺寸已经微缩至100纳米以下,而硅通孔的尺寸一般在几微米到数十微米一因此硅通孔化学机械抛光工艺有着不同于传统化学机械抛光工艺的要求。例如,由于硅通孔结构中的各种介质层都有较大的厚度,因而要求化学机械抛光时要有较高的去除速率。另一方面,工业化生产要求所使用的抛光液必须使用方便,且性能稳定。如果抛光液中含有不稳定的成份,或者所含组分之间会发生化学反应,则会对其性能稳定性造成严重影响。这种情况下,通常不得不采用分拆包装的方法,将不稳定的成份独立分装,或将相互发生化学反应的成份分别包装,在使用前再混合生成抛光液并尽快使用。例如抛光液中如需使用容易分解的过氧化氢作氧化剂的,通常只能配制出 ...
【技术保护点】
一种化学机械抛光液,其包含:研磨颗粒、水、氧化剂以及Si3N4抑制剂。
【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液,其包含:研磨颗粒、水、氧化剂以及Si3N4抑制剂。2.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述Si3N4抑制剂为水溶性环状低聚糖。3.如权利要求2所述的抛光液,其特征在于,所述水溶性环状低聚糖为β-环糊精。4.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于:所述研磨颗粒选自二氧化硅和/或二氧化铺。5.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于:所述氧化剂选自羟胺、KBrO3和KIO3中的一种或多种。6.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于:所述研磨颗粒的含量为0.l-2%wt%,所述氧化剂的含量为0.1-0.5wt%,所述Si3N4抑制剂的含量为0.04-0.3wt%,所述水为余量。7.如权利要求6所述的抛光液,其特征在于:所述研磨颗粒的含量为0.3-1.0wt%。8.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于:所述研...
【专利技术属性】
技术研发人员:庞可亮,王雨春,
申请(专利权)人:安集微电子上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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