一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种化学机械抛光液。该抛光液含有载体、研磨颗粒、水溶性含氧酸盐及水溶性多羟基化合物。本发明专利技术中的化学机械抛光液具有较高的SiO2抛光速率，并具有高的SiO2/Si3N4去除速率选择比，同时，其具有较高的Ta抛光速率，且Ta/Cu去除速率选择比接近1。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学机械抛光液，更具体地说，涉及一种用于硅通孔的化学机械抛光液。
技术介绍
作为集成电路制造工艺中的一环，芯片封装技术也随着摩尔定律(Moore’ s law)的发展而不断改进。其中，三维封装(3D-packaging)技术自上世纪末以来发展迅速,并且已被应用于如数据储存器、感光数码芯片等的 产业化生产工艺之中。三维封装具有尺寸小、硅片使用效率高、信号延迟短等特点，并且使得一些在传统二维封装中无法实现的特殊电路设计成为可能。化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)是三维封装中一道必不可少的环节。通过刻蚀、沉积及化学机械抛光等工序在芯片的背面制造出的硅通孔(Through-silicon Via,TSV)是在芯片之间实现三维堆叠(3D_stacking)的关键。娃通孔的尺寸与芯片中的晶体管尺寸有着数量级的差别——例如目前主流集成电路中的晶体管尺寸已经微缩至100纳米以下，而硅通孔的尺寸一般在几微米到数十微米一因此硅通孔化学机械抛光工艺有着不同于传统化学机械抛光工艺的要求。例如，由于硅通孔结构中的各种介质层都有较大的厚度，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光液，其含有：载体，研磨颗粒，水溶性含氧酸盐以及水溶性多羟基聚合物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：庞可亮，王雨春，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：