【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，以及大规模集成电路互连层的不断增加，导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。二十世纪80年代，由IBM公司首创的化学机械抛光(CMP)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。化学机械抛光(CMP)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由一个带有抛光垫的研磨台，及一个用于承载芯片的研磨头组成。其中研磨头固定住芯片，然后将芯片的正面压在抛光垫上。当进行化学机械抛光时，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台一样的运动方向旋转。与此同时，含有研磨剂的浆液被滴到抛光垫上，并因离 心作用平铺在抛光垫上。芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。对金属层化学机械抛光(CMP)的主要机制被认为是氧化剂先将金属表面氧化成膜，以二氧化硅和氧化铝为代表的研磨剂将该层氧化膜机械去除，产生新的金属表面继续被氧化，这两种作用协同进行。银盐作为一种强氧化剂，可以用于化学机械抛光(CMP)。美国专利5225034,美国专利5354490公开了将过氧化氢和硝酸银共同使用，用做氧化剂进行金属铜抛光的方...
【技术保护点】
一种化学机械抛光液，包含：水、研磨剂、能产生银离子的化合物、冠醚。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王晨，何华锋，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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