一种球型复合稀土抛光粉的制备方法技术

一种球型复合稀土抛光粉的制备方法，按以下步骤：镧和铈的氯化物按氧化物的质量比10：90～40：60溶于50℃～90℃水中，浓度0.1～2.0mol/L；搅拌下，将铵或碱金属硫酸盐加入50℃～90℃的氯化稀土溶液中，量为稀土氧化物的2-6%；搅拌下，将氟化物与碳酸盐或碳酸氢盐中的一或两种按摩尔比CO32-/F-=3～4混合，0.5～3小时内加入稀土溶液中，量为理论量的1.0～1.3倍，搅拌0.5～2小时；50℃～95℃保温0.5～3小时；过滤或离心分离，100℃～150℃干燥、粉碎；800℃～1100℃温度煅烧；粉碎分级，控制抛光粉粒度0.3～0.7um。本发明专利技术具有很好的球形，粒度较小，有较好的粒度分布和很好的悬浮性，原料来源广泛，价格低廉，方法简单易行，对光学玻璃、硅晶片、显示屏等材料的抛光可提高表面性能，减少表面划痕。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于稀土材料制备的
，涉及抛光粉的制备方法。
技术介绍
化学机械抛光(CMP)是机械研磨和化学腐蚀的组合技术，它借助超微粒子的研磨作用以及抛光浆料的化学腐蚀作用，在化学成膜和机械去膜的交替过程中去除被抛光介质表面上极薄的一层材料，实现超精密平坦表面加工。制造大规模集成电路的硅片等晶体要有极高的平面度和超平滑表面，CMP技术被认为是进行这些表面加工最好也是唯一的全局平面化技术。CMP抛光液中的磨粒，在抛光过程中同时具有对工件表面的机械冲击作用和对化学反应的催化作用是影响抛光质量的重要因素。常规的抛光液一般只有一种磨粒，CMP试验基于软质抛光垫下利用磨粒抛光液的化学机械抛光。与单一磨料抛光液相比，复合稀土·抛光粉获得的抛光速率更高，晶片表面的缺陷更少。抛光粉的粒度及形貌是直接关系到被抛光材料的表面性能，球型、超细、粒度分布均匀的抛光粉更加引人嘱目。稀土抛光粉主要成分是氧化铈或以氧化铈及混合稀土氧化物，合成时控制相应的粒径和形貌以便获得较好的抛光面。如专利申请号CN200710065388. 3 一种超细、球化稀土抛光粉及其制备工艺中，采用在沉淀后的浆液中加入铵盐和氟离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种球型复合稀土抛光粉的制备方法，其特征是步骤如下：（1）以镧和铈的氯化物为原料，原料按其氧化物的质量比为10：90～40：60，其它稀土不大于1%；氯化稀土溶于50℃～90℃水中，其氯化稀土溶液的浓度为0.1～2.0mol/L；（2）在搅拌下，将铵或碱金属硫酸盐加入到50℃～90℃的氯化稀土溶液中，其加入量为稀土氧化物质量的2？6%；（3）在搅拌下，将氟化物与碳酸盐或碳酸氢盐中的一种或两种按摩尔比CO32？/F？=3～4混合，在0.5～3小时内加入到恒温的稀土溶液中，加入量为理论量的1.0～1.3倍，并继续搅拌0.5～2小时；（4）沉淀浆料在50℃～95℃保温0.5～3小时；（5）浆料冷却后...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周新木，李永绣，岑志军，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：发明
国别省市：