【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种抛光液，尤其涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
COMS芯片的制造通常是在硅衬底材料上集成数以亿计的有源器件(包括NMOS和PM0S)，进而设计各种电路实现复杂的逻辑功能和模拟功能。要确保不同器件之间的电学隔离，就要采用绝缘材料将其隔离，浅槽 隔离(STI)就是在有源器件之间形成隔离区的工业化方法。这种隔离方法，是在衬底上生长一层二氧化硅层，然后再淀积一层氮化硅薄膜，二者的典型厚度分别为10-20nm和50_100nm，然后进行涂胶，、曝光和显影，如图I所示。在图I中看出5-6的步骤需要用CMP平坦化工艺，要求快速去除二氧化硅并停止在氮化硅上面，这就要求其抛光液要具有较高的HDP/SIN的选择比，通常要大于10，并且在不同密度区域的碟形凹陷不能相差200埃，表面光滑洁净，颗粒污染物和缺陷等均小于工艺要求的指标。目前芯片厂广泛应用的是二氧化铈抛光液，该类抛光液抛光速度快，对氮化硅的选择比较高，是较为成熟的工业化产品，但该类抛光液容易产生沉淀分层，对在线的设备要求较高，另外价格昂贵，在全球芯片行业降耗增效的背景下，降低成本也是抛光液的要求之O
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能够克服上述现有技术中缺陷的化学机械抛光液。本专利技术的技术方案如下本专利技术公开一种适合于浅槽隔离平坦化的化学机械抛光组合物，该抛光液至少含有一种二氧化铈的磨料，一种有机膦酸，一种PH调节剂，和载体水。其中，二氧化铺磨料粒径为20_500nm,固含量从O. Iwt %到IOwt %。最好在60-250nm,磨料作用是去除HDP 二氧化硅。该抛光液选用的氧化铈磨料为...
【技术保护点】
一种化学机械抛光液，包括：一种二氧化铈的磨料，一种有机膦酸，一种pH调节剂，和载体水。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋伟红，姚颖，孙展龙，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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