【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种抛光液，尤其涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
COMS芯片的制造通常是在硅衬底材料上集成数以亿计的有源器件(包括NMOS和PM0S)，进而设计各种电路实现复杂的逻辑功能和模拟功能。要确保不同器件之间的电学隔离，就要采用绝缘材料将其隔离，浅槽 隔离(STI)就是在有源器件之间形成隔离区的工业化方法。这种隔离方法，是在衬底上生长一层二氧化硅层，然后再淀积一层氮化硅薄膜，二者的典型厚度分别为10-20nm和50_100nm，然后进行涂胶，、曝光和显影，如图I所示。在图I中看出5-6的步骤需要用CMP平坦化工艺，要求快速去除二氧化硅并停止在氮化硅上面，这就要求其抛光液要具有较高的HDP/SIN的选择比，通常要大于10，并且在不同密度区域的碟形凹陷不能相差200埃，表面光滑洁净，颗粒污染物和缺陷等均小于工艺要求的指标。目前芯片厂广泛应用的是二氧化铈抛光液，该类抛光液抛光速度快，对氮化硅的选择比较高，是较为成熟的工业化产品，但该类抛光液容易产生沉淀分层，对在线的设备要求较高，另外价格昂贵，在全球芯片行业降耗增效的背景下，降低成本也是抛光液的要求之O专利技...
【技术保护点】
一种化学机械抛光液，包括：一种二氧化铈的磨料，一种有机膦酸，一种pH调节剂，和载体水。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋伟红，姚颖，孙展龙，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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