抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种用于化学机械抛光的抛光液，包括用于粗抛的抛光液和用于精抛的抛光液；其中：所述粗抛的抛光液包括：纳米磨料5~10wt%，氧化剂为1.5~3wt%，表面活性剂0.01wt%，pH调节剂，余量为去离子水，粒度为60~100nm，PH值为9.5；所述精抛的抛光液包括：纳米磨料1~5wt%，氧化剂为0.5~1.5wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为15~30nm，pH值为9.5；应用上述的抛光液对CdS晶片进行化学机械抛光的方法，抛光方法包括：对待抛光的CdS晶片利用粗抛抛光液进行粗抛，以及对粗抛后的CdS晶片利用精抛抛光液进行精抛；其中，进行粗抛抛光和精抛抛光时，抛光压力为60~120g/cm2，转速60~100转/分钟，对应抛光液的流量50~200ml/min。本发明专利技术的抛光工艺简单，容易操作，使用的抛光液损伤小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体材料加工
，尤其涉及。
技术介绍
II一VI族单晶材料是优良的探测器材料和激光材料，CdS是直接跃进II一VI族化合物半导体，它是一种较好的窗口材料和过渡层材料，常用来制作光化学催化、半导体器件、发光器件、激光和光敏传感器。CdS可以制作紫外探测器，又是良好的红外窗口材料，因此被用于导弹的红外或紫外双色制导。因此，对CdS单晶材料研究有着很高的应用前景和军事意义。 CdS单晶的表面质量与其器件的性能密切相关，但是现有的CdS单晶抛光处理后的CdS单晶表面粗糙度大，抛光效果不好。
技术实现思路
鉴于上述的分析，本专利技术旨在提供一种，用以解决现有技术中CdS单晶抛光处理后的CdS单晶表面粗糙度大，抛光效果不好的问题。本专利技术的目的主要是通过以下技术方案实现的一种用于化学机械抛光的抛光液，所述抛光液包括用于粗抛的抛光液和用于精抛的抛光液；其中所述粗抛的抛光液包括纳米磨料5 10wt%,氧化剂为I. 5^3wt%,表面活性剂O. 01wt%, PH调节剂，余量为去离子水，粒度为2(T50nm，PH值为9. 5 ；所述精抛的抛光液包括纳米磨料I飞wt%，氧化剂为O. 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械抛光的抛光液，其特征在于，所述抛光液包括用于粗抛的抛光液和用于精抛的抛光液；其中：所述粗抛的抛光液包括：纳米磨料5~10wt%，氧化剂为1.5~3wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为20~50nm，PH值为9.5；所述精抛的抛光液包括：纳米磨料1~5wt%，氧化剂为0.5~1.5wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为10~30nm，PH值为9.5。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李晖，徐永宽，程红娟，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：